技术总结
非易失性存储器结构包括半导体衬底以及该半导体衬底中的第一掺杂剂类型的第一层。该非易失性存储结构还包括第一层上方的第二掺杂剂类型的第一阱区、第一层上方并且与第一阱区间隔开的第二掺杂剂类型的第二阱区、以及设置在第一阱区与第二阱区之间并且向下延伸至第一层的第一掺杂剂类型的第三阱区。本发明还提供了非易失性存储器及其制造方法。
技术研发人员：陈世宪;卢皓彦;郭良泰;柯钧耀;徐英杰
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610765878
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2017.05.10