外延片中P型层的生长方法与流程

本发明涉及发光二极管制造技术，尤其涉及一种外延片中P型层的生长方法。

背景技术：

发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能将电能转化为光能的半导体电子元件，鉴于LED具有体积小、功率低、使用寿命长、高亮度、低热量、环保、坚固耐用等优点，LED在照明领域越来越普及，已经逐渐取代了代白炽灯和荧光灯。

现有的LED主要由用于发光的外延片，支架，银胶，金线，环氧树脂等五种物料组成。上述外延片包括衬底，以及，依次生长在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层、以及P型层等。其中，外延片的N型层掺有用于产生电子的硅Si，P型层掺有用于产生空穴的镁Mg。因此，发光二极管在通电时，外延片可以通过N型层产生的电子与P型层产生的空穴在量子阱层的复合，辐射出可见光，实现发光二级管的发光。

但是，现有的发光二极管的发光效率较低，无法满足实际使用时的需求。

技术实现要素：

本发明提供一种外延片中P型层的生长方法，用以解决现有技术中的发光二极管的发光效率较低的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明第一方面提供一种外延片中P型层的生长方法，所述外延片包括：缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层、以及P型层，所述方法包括：

获取所述P型层当前生长阶段的生长厚度；

在所述生长厚度达到预设厚度时，按照预设降温速率，将生长温度降至预设温度，并将所述生长温度在所述预设温度维持预设时间段。

如上所述，在所述当前生长阶段非最后生长阶段时，所述方法还包括：

按照预设升温速率，将所述生长温度从所述预设温度提高至预设生长温度；

在所述预设生长温度下，开始所述P型层的下一生长阶段。

如上所述，所述预设降温速率大于所述预设升温速率。

如上所述，所述预设厚度包括下述任一项：15纳米、20纳米、25纳米。

如上所述，所述预设温度的范围大于或等于600摄氏度、且小于或等于900摄氏度。

如上所述，所述预设降温速率的范围大于或等于50摄氏度/分钟、且小于或等于125摄氏度/分钟。

如上所述，所述预设生长温度的范围大于或等于950摄氏度、且小于或等于1000摄氏度。

如上所述，所述预设升温速率的范围大于或等于50摄氏度/分钟、且小于或等于100摄氏度/分钟。

如上所述，所述在所述生长厚度达到预设厚度时，按照预设降温速率，将生长温度降至预设温度，包括：

在所述生长厚度达到预设厚度时，按照预设降温速率，采用氮气将生长温度降至预设温度。

本发明提供的外延片中P型层的生长方法，可以在外延片中P型层的每个生长阶段的生长厚度达到该生长阶段的预设厚度时，按照当前生长阶段的预设降温速率，将当前生长阶段的生长温度降至当前生长阶段的预设温度，并将该当前生长阶段的生长温度在该预设温度维持预设时间段，以通过一定时间的退火，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明提供的外延片中P型层的生长方法实施例一的流程示意图；

图2为本发明提供的外延片中P型层的生长方法实施例二的流程示意图；

图3为本发明提供的P型层的生长曲线示意图一；

图4为本发明提供的P型层的生长曲线示意图二；

图5为本发明提供的P型层的生长曲线示意图三。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

目前，发光二极管的外延片通过在P型层掺入用于产生空穴的Mg，使得P型层所产生的空穴可以与N型层产生的电子在量子阱层复合，辐射出可见光，实现发光二级管的发光。但是，在生产外延片的过程中，P型层的Mg会与氢原子H结合，形成Mg-H键。由于Mg与H均为原子，所以Mg与H形成的Mg-H键很难被打断，使得P型层中的Mg的活化率较低，进而使得P型层的空穴的迁移率较低，导致与N型层产生的电子进行复合的空穴较少，致使电子与空穴复合辐射出的可见光较小，发光二极管的发光效率较低。

本发明提供的外延片中P型层的生长方法，旨在解决现有技术中发光二极管的发光效率较低的问题。

下面以具体地实施例对本发明的技术方案进行详细说明。下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例不再赘述。

图1为本发明提供的外延片中P型层的生长方法实施例一的流程示意图。本实施例的执行主体可以为外延片生长设备，本实施例涉及的是外延片生长设备在外延片的P型层当前生长阶段的生长厚度达到预设厚度时，按照预设降温速率，将生长温度降至预设温度，并将生长温度在预设温度维持预设时间段，以断开当前生长阶段的P型层的Mg-H键的具体过程。本实施例的方法适用于正在生长P型层的外延片。如图1所示，该方法可以包括：

S101、获取P型层当前生长阶段的生长厚度。

具体的，本实施例所涉及的外延片包括：依次生长在衬底上的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层、以及P型层。其中，上述衬底可以为蓝宝石衬底、氮化硅衬底、硅衬底等。上述缓冲层、N型层、量子阱层、P型层可以由氮化镓形成。在本实施例中，上述外延片的P型层的生长过程包括多个生长阶段，其中，该生长阶段的具体数量可以根据用户的需求设定，例如：生长阶段的具体数量可以大于等于2、小于等于50等。

在将衬底放入外延片生长设备中生产外延片时，外延片生长设备在衬底上依次生长完外延片的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层，进入生长P型层时，可以在P型层的每个生长阶段，获取P型层当前生长阶段的生长厚度。其中，上述外延片生长设备如何获取P型层当前生长阶段的生长厚度，具体可以参见现有技术。例如，外延片生长设备可以根据当前生长阶段的生长参数(生长温度、生长波长、生长时长等)，计算P型层当前生长阶段的生长厚度等，本发明对此不再赘述。

S102、在生长厚度达到预设厚度时，按照预设降温速率，将生长温度降至预设温度，并将生长温度在预设温度维持预设时间段。

具体的，外延片生长设备在获取到P型层当前生长阶段的生长厚度之后，可以根据将该当前生长阶段的生长厚度，与当前生长阶段的预设厚度进行比较，以判断该当前生长阶段的生长厚度是否达到当前生长阶段的预设厚度。在确定P型层当前生长阶段的生长厚度达到当前生长阶段的预设厚度时，外延片生长设备可以按照当前生长阶段对应的预设降温速率，将当前的生长温度降至当前生长阶段对应的预设温度，并在将至该预设温度后，将该生长温度在该预设温度维持当前生长阶段对应的预设时间段，以进行一段时间的退火处理。通过这种退火(即降低生长温度)的方式，可以断开当前生长阶段所生长的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

其中，本实施例不限定上述外延片生长设备将生长温度降至预设温度，并将生长温度在预设温度维持预设时间段的具体实现方式，例如：上述外延片生长设备可以通过降低外延片生长设备的加热温度的方式，将生长温度降至预设温度，并将生长温度在预设温度维持预设时间段；还可以通过能够降低温度的气体，将生长温度降至预设温度，并将生长温度在预设温度维持预设时间段，这里所说的气体例如可以为氮气等。

上述预设厚度例如可以为：15纳米、20纳米、25纳米等。在本实施例中，上述P型层的每个生长阶段的预设厚度可以相同，也可以不同，具体可以根据用户的需求设定。上述预设降温速率的范围可以大于或等于50℃/min、且小于或等于125℃/min，具体实现时，上述P型层的每个生长阶段的预设降温速率可以相同，也可以不同。上述预设温度的范围可以大于或等于600℃、且小于或等于900℃，具体实现时，上述P型层的每个生长阶段的预设温度可以相同，也可以不同。上述预设时间段的范围可以大于或等于2min，小于等于10min，具体实现时，上述P型层的每个生长阶段的预设时间段可以相同，也可以不同。

通过将P型层的生长过程分成多个生长阶段，并在每个生长阶段对生长厚度达到预设厚度的P型层都采用上述步骤进行退火处理，以断开每个生长阶段所生长的P型层中的Mg-H键，即边生长边打断Mg-H键，使得每个生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率得到提高，进而提高了每个生长阶段所生长的P型层中空穴的迁移率，从而提高了P型层中空穴的迁移率，使得与电子复合的空穴数量增加，进而使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

本发明提供的外延片中P型层的生长方法，可以在外延片中P型层的每个生长阶段的生长厚度达到该生长阶段的预设厚度时，按照当前生长阶段的预设降温速率，将当前生长阶段的生长温度降至当前生长阶段的预设温度，并将该当前生长阶段的生长温度在该预设温度维持预设时间段，以通过一定时间的退火，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

图2为本发明提供的外延片中P型层的生长方法实施例二的流程示意图。如图2所示，进一步地，在上述实施例的基础上，若上述P型层的当前生长阶段非最后生长阶段，则上述方法还可以包括：

S201、按照预设升温速率，将生长温度从预设温度提高至预设生长温度。

具体的，在上述P型层的每个生长阶段，若该生长阶段并非P型层的最后一个生长阶段，则外延片生长设备在对该生长阶段的P型层进行退火处理后，即按照当前生长阶段对应的预设降温速率，将当前生长阶段的生长温度降至当前生长阶段对应的预设温度，并将生长温度在该预设温度维持当前生长阶段对应的预设时间段后，就可以按照预设升温速率，将生长温度从当前生长阶段对应的预设温度提高至下一生长阶段对应的预设生长温度。即将生长温度从当前生长阶段对应的预设温度提高至下一生长阶段对应的生长P型层的温度，以进入P型层的下一生长阶段。

其中，上述预设生长温度的范围可以大于或等于950℃、且小于或等于1000℃，具体实现时，上述P型层的每个生长阶段的预设温度可以相同，也可以不同。上述预设升温速率的范围可以大于或等于50℃/min、且小于或等于100℃/min，具体实现时，上述P型层的每个生长阶段的预设温度可以相同，也可以不同。在本实施例中，上述预设升温速率小于预设降温速率，还可以等于预设降温速率，还可以大于预设降温速率，具体可以根据用户的需求设定。

S202、在预设生长温度下，开始P型层的下一生长阶段。

具体的，外延片生长设备在将生长温度从预设温度提高至下一生长阶段对应的预设生长温度后，就可以在该预设生长温度下，开始P型层的下一生长阶段，即继续生长P型层。这样，外延片生长设备在该生长阶段的P型层的生长厚度达到该生长阶段对应的预设厚度时，可以再通过上述降低生长温度的方式，对该生长阶段的P型层进行退火处理，以断开该生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高该生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率。以此循环，直至生长完P型层的最后一个生长阶段。

本发明提供的外延片中P型层的生长方法，在对当前生长阶段的P型层进行退火处理后，可以将生长温度提高至下一生长阶段的预设生长温度，以开始P型层的下一生长阶段，并在P型层的下一生长阶段的生长厚度达到该生长阶段的预设厚度时，对该生长阶段的P型层进行退火处理，以断开该生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高该生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高该生长阶段所生长的P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量。以此循环，可以提高每个生长阶段所生长的P型层中空穴的迁移率，使得P型层中可以与N型层所产生的电子复合的空穴增度，进而使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

下面以P型层总的生长厚度为60纳米为例，通过几个示例对本发明提供的外延片中P型层的生长方法进行详细的介绍。

示例1：在本示例中，P型层采用三段式恒温退火的生长方法，即P型层的生长过程包括3个生长阶段，分别为生长阶段P1、生长阶段P2和生长阶段P3。每个生长阶段的预设厚度均为20纳米，每个生长阶段对应的预设降温速率均为125℃/min，每个生长阶段对应的预设温度为700℃，生长阶段P2和3对应的预设升温速率均为62.4℃/min，每个生长阶段对应的预设生长温度均为950℃。其中，生长阶段P1对应的预设时间段t1为2min，生长阶段P2对应的预设时间段t2为3min，生长阶段P3对应的预设时间段t3为4min。在本示例中，每个生长阶段采用氮气进行退火处理。

图3为本发明提供的P型层的生长曲线示意图一。如图3所示，在将衬底放入外延片生长设备中生产外延片时，外延片生长设备在衬底上依次生长完外延片的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层，进入生长P型层时，外延片生长设备可以将生长温度提高至950℃(即生长阶段P1对应的预设生长温度)后，开始P型层的生长阶段P1。

P型层在生长阶段P1的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P1对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P1对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)维持2min(即生长阶段P1对应的预设时间段t1)，以对生长阶段P1所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P1的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P2对应的预设升温速率)，将生长温度从700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P2对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P2。

P型层在生长阶段P2的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P2对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P2对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)维持3min(即生长阶段P2对应的预设时间段t2)，以对生长阶段P2所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P2的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P3对应的预设升温速率)，将生长温度从700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P3对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P3。

P型层在生长阶段P3的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P3对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P3对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P3对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P3对应的预设温度)维持4min(即生长阶段P3对应的预设时间段t3)，以对生长阶段P3所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

至此就完成了P型层的退火处理。通过这种方式，可以在P型层的每个生长阶段，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

示例2：在本示例中，P型层采用三段式变温退火的生长方法，即P型层的生长过程包括3个生长阶段，分别为生长阶段P1、生长阶段P2和生长阶段P3。每个生长阶段的预设厚度均为20纳米，每个生长阶段对应的预设降温速率均为125℃/min，生长阶段P2和3对应的预设升温速率均为62.4℃/min，每个生长阶段对应的预设生长温度均为950℃。其中，生长阶段P1对应的预设时间段t1为2min、预设温度为750℃，生长阶段P2对应的预设时间段t2为3min、预设温度为700℃，生长阶段P3对应的预设时间段t3为4min、预设温度为650℃。在本示例中，每个生长阶段采用氮气进行退火处理。

图4为本发明提供的P型层的生长曲线示意图二。如图4所示，在将衬底放入外延片生长设备中生产外延片时，外延片生长设备在衬底上依次生长完外延片的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层，进入生长P型层时，外延片生长设备可以将生长温度提高至950℃(即生长阶段P1对应的预设生长温度)后，开始P型层的生长阶段P1。

P型层在生长阶段P1的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P1对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P1对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至750℃(即生长阶段P1对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在750℃(即生长阶段P1对应的预设温度)维持2min(即生长阶段P1对应的预设时间段t1)，以对生长阶段P1所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P1的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P2对应的预设升温速率)，将生长温度从750℃(即生长阶段P1对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P2对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P2。

P型层在生长阶段P2的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P2对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P2对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)维持3min(即生长阶段P2对应的预设时间段t2)，以对生长阶段P2所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P2的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P3对应的预设升温速率)，将生长温度从700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P3对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P3。

P型层在生长阶段P3的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P3对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P3对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至650℃(即生长阶段P3对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在650℃(即生长阶段P3对应的预设温度)维持4min(即生长阶段P3对应的预设时间段t3)，以对生长阶段P3所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

至此就完成了P型层的退火处理。通过这种方式，可以在P型层的每个生长阶段，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

示例3：在本示例中，P型层采用三段式非等厚度退火的生长方法，即P型层的生长过程包括3个生长阶段，分别为生长阶段P1、生长阶段P2和生长阶段P3。每个生长阶段对应的预设降温速率均为125℃/min，每个生长阶段对应的预设温度为700℃，生长阶段P2和3对应的预设升温速率均为62.4℃/min，每个生长阶段对应的预设生长温度均为950℃。其中，生长阶段P1对应的预设时间段t1为2min、预设厚度为15纳米，生长阶段P2对应的预设时间段t2为3min、预设厚度为20纳米，生长阶段P3对应的预设时间段t3为4min、预设厚度为25纳米。在本示例中，每个生长阶段采用氮气进行退火处理。

图5为本发明提供的P型层的生长曲线示意图三。如图5所示，在将衬底放入外延片生长设备中生产外延片时，外延片生长设备在衬底上依次生长完外延片的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层，进入生长P型层时，外延片生长设备可以将生长温度提高至950℃(即生长阶段P1对应的预设生长温度)后，开始P型层的生长阶段P1。

P型层在生长阶段P1的生长厚度达到15纳米(即生长阶段P1对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P1对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)维持2min(即生长阶段P1对应的预设时间段t1)，以对生长阶段P1所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P1的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P2对应的预设升温速率)，将生长温度从700℃(即生长阶段P1对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P2对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P2。

P型层在生长阶段P2的生长厚度达到20纳米(即生长阶段P2对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P2对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)维持3min(即生长阶段P2对应的预设时间段t2)，以对生长阶段P2所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

外延片生长设备在完成生长阶段P2的P型层的退火处理后，按照62.4℃/min(即生长阶段P3对应的预设升温速率)，将生长温度从700℃(即生长阶段P2对应的预设温度)提高至950℃(即生长阶段P3对应的预设生长温度)，以开始P型层的下一生长阶段，即生长阶段P3。

P型层在生长阶段P3的生长厚度达到25纳米(即生长阶段P3对应的预设厚度)时，外延片生长设备按照125℃/min(即生长阶段P3对应的预设降温速率)，通过氮气将生长温度从950℃降至700℃(即生长阶段P3对应的预设温度)，并通过氮气将生长温度在700℃(即生长阶段P3对应的预设温度)维持4min(即生长阶段P3对应的预设时间段t3)，以对生长阶段P3所生长的P型层进行一段时间的退火处理。

至此就完成了P型层的退火处理。通过这种方式，可以在P型层的每个生长阶段，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

本发明提供的外延片中P型层的生长方法，可以在外延片中P型层的每个生长阶段的生长厚度达到该生长阶段的预设厚度时，按照当前生长阶段的预设降温速率，将当前生长阶段的生长温度降至当前生长阶段的预设温度，并将该当前生长阶段的生长温度在该预设温度维持预设时间段，以通过一定时间的退火，断开当前生长阶段的P型层中的Mg-H键，提高了当前生长阶段所生长的P型层中的Mg的活化率，进而提高了P型层中空穴的迁移率，即增加了与N型层产生的电子进行复合的空穴的数量，使得电子与空穴复合辐射出的可见光增多，进而提高了发光二极管的发光效率。

本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。