技术总结
本发明公开了一种具有压敏电阻的ESD保护低压超结MOSFET及其制造方法，包括硅外延层，硅外延层外依次设置有场氧化层和介质层；其中硅外延层内设置有阱区，阱区上设置有源区，源区直接与介质层连接；场氧化层分别与多晶ESD结构和多晶压敏电阻连接，多晶压敏电阻与第一金属层连接；多晶ESD结构与第二金属层连接；有源区与第三金属层连接。通过在MOSFET的栅极和源极增加一个压敏电阻，解决了在常规需求下MOSFET器件测试不到栅极漏电流Igss真实电流的问题，并且还能够实现对单个低压超结MOSFET及单个ESD模块的测试。
技术研发人员：张雨;刘侠;杨东林;罗义
受保护的技术使用者：西安芯派电子科技有限公司
文档号码：201610789862
技术研发日：2016.08.30
技术公布日：2016.12.07