1.一种用于LED白光芯片的切割工艺，其特征在于，包括有以下步骤，
获取芯片位置信息，取得芯片在整版胶膜中的实际位置信息；
确定切割轨迹，根据芯片实际位置得到相邻两行或两列芯片上指定对应点的位置，再根据同行或同列的指定对应点的位置计算出同行或同列芯片的平均中心点，再将相邻两行或两列芯片平均中心点的平均值作为相邻两行或两列芯片的切割轨迹；
进行切割，按照得到切割轨迹对整版胶膜进行切割。
2.如权利要求1所述的用于LED白光芯片的切割工艺，其特征在于，在所述获取芯片位置步骤中，使用扫描或拍照的方式获得整版胶膜的图像，根据获得的图像确定芯片的实际位置。
3.如权利要求1所述的用于LED白光芯片的切割工艺，其特征在于，在所述确定切割轨迹步骤之前以及获取芯片位置信息步骤之后，包括有建立平面坐标系步骤，在整版胶膜上建立一个XY平面坐标系，并确定各个芯片的中心点的实际位置在XY平面坐标系中对应的坐标信息。
4.如权利要求3所述的用于LED白光芯片的切割工艺，其特征在于，所述整版胶膜为矩形，以所述整版胶膜任一端点作为XY平面坐标系的坐标系的坐标原点建立XY平面坐标系。
5.如权利要求3或4所述的用于LED白光芯片的切割工艺，其特征在于，在所述确定切割轨迹步骤中，所述指定对应点为芯片的中心点，根据芯片中心点的坐标信息，得出整版胶膜上同列和同行的芯片中心点的平均X值和Y值，再取相邻列的平均X值的平均值x0，将X＝xo直线作为相邻列在Y轴方向上的切割轨迹，再取相邻行的平均Y值的平均值y0，将Y＝y0直线作为相邻行在X轴方向上的切割轨迹。
6.一种用于LED白光芯片的切割装置，其特征在于，包括有以下的装置：
位置获取单元，用于获取芯片位置信息，取得芯片在整版胶膜中的实际位置信息；
切割轨迹计算单元，用于确定切割轨迹，根据芯片实际位置得到相邻两行或两列芯片上指定对应点的位置，再根据同行或同列的指定对应点的位置计算出同行或同列芯片的平均中心点，再将相邻两行或两列芯片平均中心点的平均值作为相邻两行或两列芯片的切割轨迹；
切割单元，用于对整版胶膜进行切割，按照得到切割轨迹对整版胶膜进行切割。
7.如权利要求6所述的用于LED白光芯片的切割装置，其特征在于，所述位置获取单元使用扫描或拍照的方式获得整版胶膜的图像，根据获得的图像确定芯片的实际位置。
8.如权利要求6所述的用于LED白光芯片的切割装置，其特征在于，还包括有平面坐标系建立单元，所述平面坐标系建立单元用于在整版胶膜上建立一个XY平面坐标系，并确定各个芯片的中心点的实际位置在XY平面坐标系中对应的坐标信息。
9.如权利要求8所述的用于LED白光芯片的切割装置，其特征在于，所述整版胶膜为矩形，所述平面坐标系建立单元以所述整版胶膜任一端点作为XY平面坐标系的坐标系的坐标原点建立XY平面坐标系。
10.如权利要求8或9所述的用于LED白光芯片的切割装置，其特征在于，所述切割轨迹计算单元，根据芯片中心点的坐标信息，得出整版胶膜上同列和同行的芯片中心点的平均X值和Y值，再取相邻列的平均X值的平均值x0，将X＝xo直线作为相邻列在Y轴方向上的切割轨迹，再取相邻行的平均Y值的平均值y0，将Y＝y0直线作为相邻行在X轴方向上的切割轨迹。