1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：
-将包括碳化硅的施主晶片(10)附着到包括石墨的载体晶片(20)；
-沿着内部剥离层(13)分离施主晶片(10)，使得形成包括碳化硅并且附着到载体晶片(20)的分离层(1)；
-形成被部分支撑的晶片(100，200)，包括在分离层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)，同时留下附着到分离层(1)的载体晶片(20)的剩余部分(20’)；以及
-进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)。
2.权利要求1的方法，其中附着施主晶片包括以下中的至少一个：
-在施主晶片的键合表面(101，102)上沉积陶瓷成型聚合物前体；
-在载体晶片(20)上沉积陶瓷成型聚合物前体；
-形成包括载体晶片(20)、施主晶片(10)和键合层(42)的堆叠(50)，键合层(42)包括陶瓷成型聚合物前体，并且布置在载体晶片(20)和施主晶片(10)的键合表面(101，102)之间；以及
-在200℃到700℃之间的温度下回火堆叠(50)。
3.权利要求2的方法，其中陶瓷成型聚合物前体包括聚碳硅烷。
4.权利要求2或3的方法，其中回火发生在包括氮、氩和/或氢的气氛中。
5.前述任一权利要求的方法，在至少部分移除载体晶片(20)之前还包括以下中的至少一个：
-在分离层(1)上沉积另外的碳化硅层(2)；
-注入掺杂剂到分离层(1)中和/或到另外的碳化硅层(2)中；以及
-热退火。
6.前述任一权利要求的方法，其中支撑结构(20，25)被形成为覆盖分离层(1)的外围区域的环。
7.前述任一权利要求的方法，其中移除载体晶片(20)包括以下中的至少一个：
-铣削载体晶片(20)的内部部分；
-研磨载体晶片(20)的内部部分；
-载体晶片(20)的掩模刻蚀；
-暴露分离层(1)的内部部分；
-在载体晶片的剩余部(20’)上形成碳化硅层(25)包括沉积硅以及热力过程；以及
-从分离层(1)移除沉积的硅。
8.前述任一权利要求的方法，还包括注入高能量粒子到施主晶片(10)中以在附着施主晶片(10)前形成剥离层(13)。
9.前述任一权利要求的方法，其中进一步处理被部分支撑的晶片(100，200)包括以下中的至少一个：
-处理分离层(1)；
-在分离层(1)中形成pn结；
-在分离层(1)上沉积碳化硅层(2，2’)；
-在分离层(1)上形成金属化；
-在碳化硅层(2，2’)中形成另外的pn结；
-在碳化硅层(2，2’)上形成另外的金属化；以及
-将被部分支撑的晶片(100，200)分离为个体半导体器件。
10.一种用于形成晶片结构(100，200)的方法，包括：
-提供具有第一侧(101，102)的碳化硅晶片(10)；
-从第一侧注入高能量粒子到碳化硅晶片(10)中；
-键合碳化硅晶片(10)的第一侧到包括石墨的载体晶片(20)；
从碳化硅晶片(10)分离第一层(1)；以及以下中的一个：
-在第一层(1)的内部部分之上移除载体晶片(20)以在第一层(1)处形成仅部分覆盖第一层(1)的支撑结构(20’，25)；和
-在分离层(1)上沉积碳化硅层(2，2’)并且形成在碳化硅层(2，2’)处且仅部分覆盖碳化硅层(2，2’)的支撑结构(40)后移除载体晶片(20)。
11.权利要求10的方法，其中键合第一侧包括以下中的至少一个：
-用陶瓷成型聚合物前体涂覆第一层(1)；
-用陶瓷成型聚合物前体涂覆载体晶片(20)的键合表面；
-形成包括载体晶片(20)、碳化硅晶片(10)和键合层(42)的堆叠，键合层(42)包括陶瓷成型聚合物前体并且布置在载体晶片(20)和碳化硅晶片(10)之间；以及
-在200℃到700℃之间的温度下回火堆叠。
12.权利要求10或11的方法，其中形成支撑结构(40)包括以下中的至少一个：
-在移除载体晶片(20)之前附着临时载体晶片(30)到碳化硅层(2，2’)；
-附着支撑晶片(40)到第一层(1)且在第一层(1)的内部部分之上移除支撑晶片(40)同时留下附着到分离层(1)的支撑晶片(40)的剩余部分(40)；
-附着支撑结构(40)到第一层(1)；
-在第一层(1)处形成支撑结构(20’，25)后移除临时载体晶片(30)；
-在移除载体晶片(20)后移除第一层(1)；
-附着支撑结构(40)到碳化硅层(2，2’)；
-附着支撑结构(40)到碳化硅层(2，2’)且在碳化硅层(2，2’)的内部部分之上移除支撑结构(40)同时留下附着到碳化硅层(2，2’)的支撑晶片(40)的剩余部分(40)；以及
-在碳化硅层(2，2’)处形成支撑结构(40)后移除临时载体晶片(30)。
13.权利要求12的方法，其中附着临时载体晶片(30)，附着支撑晶片(40)到第一层(1)，附着支撑结构(40)到第一层(1)，附着支撑结构(40)到碳化硅层(2，2’)和/或附着支撑晶片(40)到碳化硅层(2，2’)包括胶合和/或通过各自的粘附层来实现。
14.权利要求10至13中的任意一个的方法，其中在碳化硅层(2，2’)处形成支撑结构(40)后移除载体晶片(20)包括以下中的至少一个：
-抛光；和
-灰化。
15.权利要求10或11的方法，其中在内部部分之上移除载体晶片(20)包括以下中的至少一个：
-在载体晶片(20)上形成掩模(7)；
-使用掩模(7)化学刻蚀载体晶片(20)；
-使用掩模(7)离子束刻蚀载体晶片(20)；
-使用掩模(7)等离子体刻蚀载体晶片(20)；以及
-机械移除载体晶片(20)的至少部分。
16.一种晶片结构(100，200)，包括：
-碳化硅晶片(1，2)；和
-支撑结构(20’，25，40)，包括硅、碳化硅、石墨和玻璃中的至少一个，其中当从上面看时，支撑结构(20’，25，40)胶合在围绕碳化硅晶片(1，2)的器件区域的碳化硅晶片(1，2)的外围区域上，并且其中支撑结构(20’，25，40)仅部分覆盖碳化硅晶片(1，2)。
17.权利要求16的晶片结构，其中当从上面看时，支撑结构(20’，25，40)是环形的或基本上是环形的，和/或其中支撑结构(20’，25，40)仅覆盖外围区域或外围区域的主要部分。
18.权利要求16或17的晶片结构，其中碳化硅晶片(1，2)的厚度小于100μm，和/或其中碳化硅晶片(1，2)包括单晶分离层(1)、形成在单晶分离层(1)处的单晶外延SiC层(2)和形成在单晶分离层(1)和/或单晶外延SiC层(2)处的非单晶外延SiC层(2)中的至少一个。
19.权利要求16至18中的任意一个的晶片结构，其中支撑结构(20’，25，40)覆盖碳化硅晶片(1，2)的至多50％和/或其中支撑结构(20’，25，40)至少基本上覆盖外围区域，外围区域由具有至少1mm的宽度的环形结构限制。
20.权利要求16至19中的任意一个的晶片结构，其中支撑结构(20’，25)包括石墨本体(20’)，其中支撑结构(20’，25)使用陶瓷成型聚合物前体胶合在外延区域上，和/或其中碳化硅晶片(1，2)和支撑结构(20’，25)之间的键合层(42)是n掺杂的。