1.一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于，包括如下工艺流程：
(1)清洗：采用标准的RCA液清洗方式清洗铸锭多晶硅片，去除硅片表面的有机颗粒及金属杂质；
(2)真空蒸镀铝层：把清洗过后的多晶硅片放入真空蒸镀设备中进行表面蒸铝，所述的铝层的厚度为1.0～1.5μm；
(3)进炉：将镀铝的多晶硅片放入管式退火炉中，并匀速升温至800～830℃，整个过程在高纯氩气的保护中进行；
(4)第一步退火：当温度升到(3)所要求的温度后进行第一次退火，时间为60～80min；
(5)匀速降至低温：第一步退火结束后，将管式退火炉的温度匀速降至680～750℃；
(6)第二步退火：当温度降至(5)所要求的温度后进行第二次退火，退火时间为60～80min；
(7)降温：第二次退火结束后，将管式退火炉的温度匀速降至室温，然后取出硅片；
(8)除去杂质层：将上述处理后的铸锭多晶硅片浸入80℃的NaOH溶液中以除去铝硅玻璃杂质层，浸泡时间为15～20min。
2.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于：步骤(2)中的真空蒸镀设备中的真空度要求不低于7.5×104Pa。
3.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于：步骤(3)中的匀速升温速率为5～10℃/min。
4.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于：步骤(5)、步骤(7)中的匀速降温速率为5～10℃/min。
5.根据权利要求1所述的一种铸锭多晶硅片铝吸杂的方法，其特征在于：步骤(8)中的NaOH的质量浓度为10％～20％。