1.一种QLED器件，其特征在于，所述QLED器件为倒置QLED器件，包括依次设置的衬底、ITO、量子点发光层、空穴传输层、PEDOT:PSS层和顶电极，且所述PEDOT:PSS层通过界面修饰材料沉积在所述空穴传输层上，所述界面修饰材料为有机醇。
2.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，制备所述空穴传输层的材料中含有所述界面修饰材料；和/或
制备所述PEDOT:PSS层的材料中含有所述界面修饰材料。
3.如权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，所述有机醇为异丙醇、乙醇、甲醇中的至少一种。
4.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10-100nm；和/或
所述PEDOT:PSS层的厚度为30-60nm。
5.如权利要求1-3任一所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置在所述ITO和所述量子点发光层之间的电子传输层。
6.一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供图案化ITO基板；
在所述图案化ITO基板上依次沉积量子点发光层和空穴传输层；
在所述空穴传输层上沉积界面修饰材料，在所述界面修饰材料上沉积PEDOT:PSS材料，去除溶剂得到PEDOT:PSS层，其中，所述界面修饰材料为有机醇；
在所述PEDOT:PSS层上制备顶电极。
7.如权利要求6所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述界面修饰材料的厚度为10-30nm。
8.一种QLED器件的制备方法，包括以下步骤：
提供图案化ITO基板；
在所述图案化ITO基板上沉积量子点发光层；
在所述量子点发光层上依次沉积空穴传输层和PEDOT:PSS层；
在所述PEDOT:PSS层上制备顶电极，
其中，所述空穴传输层由空穴传输材料的氯仿溶液和界面修饰材料共混制备获得，所述界面修饰材料为有机醇；和/或
所述PEDOT:PSS层由PEDOT:PSS和界面修饰材料共混制备获得，所述界面修饰材料为有机醇。
9.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料的氯仿溶液和界面修饰材料共混步骤中，所述界面修饰材料与所述空穴传输材料的氯仿溶液体积比为1:3-5:3。
10.如权利要求8所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述PEDOT:PSS和界面修饰材料共混步骤中，所述界面修饰材料和所述PEDOT:PSS的体积比为1:3-5:3。