处理工件的工艺和为该工艺设计的装置的制作方法

本申请主张2015年10月22日提交的题为“Carrier-Workpiece Stack Comprising a Single Interposer Layer and Methods Thereof”的美国临时申请No.62/245,239的权益，其全部公开内容通过引用合并于此。本申请是2015年7月11日提交的题为“Method of Separating a Carrier-Workpiece Bonded Stack”的申请序列号14/797,124的部分继续(CIP)申请，该申请14/797,124根据巴黎公约主张基于2015年5月14日提交的中国申请No.201510247398.3的优先权，这些申请的全部公开内容通过引用合并于此。本申请是2015年7月11日提交的题为“Support for Bonding a Workpiece and Method Thereof”的申请序列号14/797,122的部分继续(CIP)申请，该申请14/797,122根据美国法典第35卷第119(a)节(35U.S.C.119(a))和巴黎公约主张基于2014年12月12日提交的中国申请No.201410766550.4和国际专利申请No.PCT/CN2014/093716的优先权，这些申请的全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体上涉及处理诸如功能晶圆(device wafer)之类的工件(workpiece)的工艺和用于实施该工艺的解键合(debonding)装置。对于处理由任何易碎材料制成的工件，诸如半导体晶圆(例如硅和砷化镓)、石英(rock crystal)晶圆、蓝宝石和玻璃，以及对于制造薄制品，诸如光学透镜、薄硅晶圆、薄液晶显示器(LCD)玻璃、薄石英晶圆、薄金属板、薄晶体盘、以及薄固体膜、片或滤光片，等等，本发明是尤其有用的。例如，本发明可用在功能晶圆减薄和背面工艺处理之后进行分离。

背景技术：

用于集成电路批量制造的硅晶圆一般具有200mm或300mm的直径和大约750微米的贯穿晶圆(through-wafer)厚度。不减薄的话，几乎不可能透过晶圆与前侧电路联通。

现在商用的对半导体级硅片和化合物半导体片高效减薄处理工艺主要基于机械研磨(背研磨)、抛光以及化学蚀刻工艺。然而，仍然存在在背研磨和TSV(贯穿硅通路)形成过程期间如何支承晶圆的问题，因为这些步骤在减薄功能晶圆或之后的工艺对功能晶圆施加高热量和机械应力。

可用聚合物胶黏剂将全厚度的功能晶圆面朝下安装到刚性载片上来形成键合堆叠。然后对功能晶圆从背侧减薄和其它工艺处理。在已经完成了背侧处理之后，完全处理了的超薄晶圆被从载片移除或解键合。在对键合堆叠进行解键合时，尤其是在自动化处理中，必须采用复杂的机械机构诸如机械臂(robot arm)来使用较强而非均匀的机械力来操纵该堆叠，以执行如滑动、升举和扭转之类的动作。由于减薄后的晶圆是非常脆弱的，所以与该方案相关联的缺陷包括功能晶圆破裂和个体器件的微观电路内的损伤，会导致器件故障和产率损失。此外，复杂的机械机构还受到成本高、操作难、以及效率低这些缺点的困扰。

因此，用于对载片-工件键合堆叠进行解键合的新方案，市场上存在这方面的需求。该方案能够提高效率，简化工艺，提供产率，减小工件表面上的应力，以及均匀地分布应力且因此减小或消除功能晶圆破裂和内部器件损伤的风险。本发明提供能够满足这种需求的解决方案。

技术实现要素：

本发明提供一种处理工件的工艺。该工艺包括(1)制备包括(例如，由其构成)载片层、工件层、以及在二者之间的中介层(interposer layer)的键合堆叠；(2)处理所述工件层；以及(3)输送气体射流(gas jet)至所述堆叠中两个相邻层之间的接合处(junction)，以分离或解键合所述两个相邻层。

另外，本发明提供一种用于实施前述工艺的解键合装置。所述装置包括(i)吸附所述键合堆叠的工件层的平台，(ii)吸附所述键合堆叠的载片层的机械装置，以及(iii)用于输送气体射流至所述键合堆叠中的两个相邻层之间的接合部处的气体射流输送系统。

下面结合附图对本发明的最佳模式进行详细描述。可以很容易的理解本发明上述及其它的特征和优点。

附图说明

在附图的图示中以示例的方式示出了本发明，其中相似的附图标记指示类似的器件。所有的图示都是示意性的，一般仅用于阐明本发明所需的部分。为了图示的简单和清楚，图中所示且下面论述的器件不一定是按比例绘制的。公认的结构和器件以简化形式示出，以避免不必要地模糊本发明。其它部分可能被省略或者仅被暗示。

图1示出本发明的一种典型示例：三层的键合堆叠。

图2示意性示出本发明典型示例：用于对图1的堆叠中的两个相邻层进行解键合的解键合装置。

图3演示了本发明典型示例：在图2的装置中喷嘴与键合堆叠之间的相对移动。

图4示出本发明典型示例：对图1的堆叠中的两个相邻层之间的接合部吹气的气体射流。

图5示出本发明典型示例：受到降低其剥离强度的处理的中介层。

图6示出本发明典型示例：两个相邻层之间的接合部的一部分被切除以便于气体射流进入到层的界面中。

图7示意性示出本发明典型示例：中介层整体被从工件层剥离。

图8示出本发明典型示例：中介层的各种结构。

具体实施方式

在下面的描述中，阐述了许多具体细节以提供对本发明的透彻理解。然而，对本领域技术人员而言，可以在没有这些具体细节的情况下或者用等效设计来实践本发明。

除非另外说明，这里公开的数值范围是连续的，包括该范围的最小值和最大值以及该最小值和最大值之间的每个值。此外，当范围涉及整数时，仅包括从该范围的最小值到最大值(包括两者)的整数。此外，当提供多个范围以描述特征或特性时，这些范围可以被组合。

工艺步骤(1)

“制备由载片层、工件层、以及在二者之间的中介层构成的键合堆叠”

在图1-4所示的实例中，制备、处理和分离键合堆叠200。参照图1，首先将中介层208键合到载片层201上，然后将工件层202键合到中介层208上。当然，可以首先将中介层208键合到工件层202上，然后将载片层201键合到中介层208上。

本发明的各种实例，载片层201可由诸如玻璃、硅、陶瓷、蓝宝石、石英、多晶硅、二氧化硅、硅锗、氮(氧)化硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、砷磷化镓(GaAsP)、碳化硅(SiC)、金属(诸如不锈钢、铜、铝、金、钨、钽)、低k电介质、聚合物电介质、以及金属氮化物和硅化物之类的材料形成。在一些实例中，在将载片层201用于制备键合堆叠200之前，可以对载片层201面对中介层208的表面(下文称为“键合表面”)进行预处理，例如化学预处理，以降低两个层之间的剥离黏性，从而便于将来通过气体射流进行解键合。例如，可以在将载片层201键合到诸如粘接层之类的中介层208之前，使用用于机械解键合应用的临时晶圆键合释放材料，诸如来自位于美国密苏里州(邮编65401)的Brewer Sciences公司的BrewerBOND 510，来处理载片层201。

在根据本发明的各种实例中，中介层208面对的工件层202包括制造在半导体材料(诸如硅、多晶硅、二氧化硅、硅锗、氮(氧)化硅、氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、砷磷化镓(GaAsP)、碳化硅(SiC))、金属(诸如铜、铝、金、钨、钽)、低k电介质、聚合物电介质、以及各种金属氮化物和硅化物上或者由其形成的微器件，其中所述微器件选自集成电路、微机电系统(MEMS)、微传感器、功率半导体、发光二极管、光电子电路、中介件、嵌入式无源器件、焊料凸块、金属插塞(post)和金属柱(pillar)。

在优选实例中，中介层208具有足够高的切变强度(shear strength)以承受在稍后的处理步骤例如减薄晶圆时的研磨和抛光中遇到的压力、应力。切变强度可以通过切变负荷测试仪来测试。对于208层而言，希望当其氧化或燃烧时产生非导电性的灰烬，以防止功能晶圆202的任何部分以及其上的个体集成电路块(dice)的潜在电路连接问题。中介层208可同时满足诸如研磨力耐受性、形成TSV所需的各向异性、干法蚀刻期间的热耐受性、电镀和蚀刻期间的化学耐受性、以及在室温下或室温附近对层压堆叠的平滑解键合之类的要求。

将功能晶圆当作工件层202进行示例。将中介层208键合到工件层202上优先在足以防止中介层与工件层之间形成空洞或气泡的半真空条件下进行。部分真空可具有1000Pa以下的压强，例如50Pa以下或者1Pa以下。中介层208的厚度可以在1μm至150μm的范围。中介层208的使用包括但不限于来自位于美国加利福尼亚州卡马里奥(邮编93012)的Micro Materials公司的Z-Bond 510和Z-Bond 520、来自位于美国密苏里州(邮编65401)的Brewer Sciences公司的BrewerBond 220、来自位于美国密苏里州(邮编65401)的Brewer Sciences公司的BrewerBond 305、以及诸如来自位于美国俄亥俄州(邮编44137)的Grafix Plastics公司的Grafix粘贴膜(cling flim)之类的PVC膜。

键合堆叠200的制备可以利用已知方法和装置来实施。例如，可从位于美国加利福尼亚州卡马里奥的Micro Materials公司商业购买Z-BT200型键合机，该键合机可用于临时或永久性的晶圆键合。Z-BT200的平台(platform)为150和200mm单腔室半自动晶圆键合机，具有SiC键合板。在堆叠200的制造中使用高达10kN、力一致性在±5％以内的键合力。在应用实例中，晶圆键合机的规格包括最大温度400℃，最大真空度0.00001Pa，到0.00001Pa的真空速度在5分钟以内(例如，使用无油低真空泵加上用于高真空的涡轮分子泵)，气体回充时间在20秒以内，腔内自动对准在50μm以内，以及高达6WPH的产率。

在实际应用中，中介层208、工件层202和载片层201分别是Z-Bond 510、功能晶圆和玻璃盘或片。Z-Bond 510是用于晶圆临时键合应用的旋涂干膜键合胶。Z-Bond 510对大多数工艺中的化学品具有耐受性，并且在高至400℃是热稳定的。Z-Bond 510键合胶具有～1000cps的黏性，并且在N₂中在高达450℃具有热稳定性。利用Z-BT200键合机，发明内容部分中的步骤(1)可包括下列子步骤：(1)旋涂：以500rpm在载片上涂覆Z-Bond 510 30秒，然后硬烘焙以使膜干燥；(2)加载：将载片置于功能晶圆下方，但是两者分隔开，彼此尚不接触；(3)抽气：在载片和功能晶圆分开时，加热两个键合板至200℃并且保持5分钟，真空至0.01Pa；(4)键合：使载片和功能晶圆键合在一起，逐渐升温至300℃，对8英寸晶圆施加600kg的力，或者对6英寸晶圆施加200kg的力；(5)冷却：保持相同的键合力并且使气体回充腔室，使板冷却至200℃；(6)结束：卸载键合堆叠。

工艺步骤(2)

“处理工件层”

接下来，处理工件层202。处理工件层可宽泛地包括研磨、抛光、UV抗蚀剂旋涂、光刻、电镀、物理气相沉积、金属再分布层形成、TSV形成、化学机械抛光、蚀刻、金属和电介质沉积、图案化、钝化、退火、转移、以及它们的任意组合。以研磨为例，可执行对工件的研磨以用于制备薄的制品，诸如光学透镜、薄晶圆、薄LCD玻璃、薄石英晶圆、薄金属板、薄晶体盘、以及薄固体膜、片或滤光器。

以研磨功能晶圆的背面作为“研磨”的代表性示例。在处理工件时，中介层208优选具有至少1MPa的切变强度，并且在从大约150℃至大约400℃的温度范围不流动。在减薄步骤中，层201，即载片晶圆，可用利用真空吸盘(chuck)或某些机械附着装置的工具抓住载片晶圆。通过使层202，即功能晶圆的背面，接触硬且平坦的、含有液体浆料的水平旋转盘(platter)进行减薄。浆料可含有磨料介质以及化学蚀刻剂，诸如氨水、氟化物、或者它们的组合。磨料提供“粗略的”基板进行减薄，同时蚀刻剂化学品促成亚微米级的“抛光”。维持功能晶圆与介质的接触，直到已经去除了一定量的晶圆材料以实现目标厚度。在减薄功能晶圆之后，将载片层与中介层彼此分离之前，可以选择性的将功能晶圆贴合到切割膜(或划片膜)上。

在减薄之后，可以在减薄晶圆上形成贯穿晶圆的电连接，一般称为贯穿硅通路或“TSV”。可以理解的是，也可以在表面上执行TSV形成过程，其包括诸如化学机械抛光(CMP)、光刻、蚀刻、沉积、退火和清洁之类的步骤。例如，可以在表面上蚀刻通路孔以便于前侧接触，利用普通干法蚀刻技术在100μm以下厚度的晶圆上构建通路，该通路仅需要具有30-70μm的直径。因此，对于背侧处理，薄晶圆可以被更快且以更低的成本处理。

工艺步骤(3)

“输送气体射流至堆叠中两个相邻层之间的接合部处以分离或解键合所述两个相邻层”

在堆叠200中，虽然中介层208和载片层201是所谓的“两个相邻层”，但是中介层208和工件层202也是“两个相邻层”。图2示意性示出用于分离或解键合堆叠200中的两个相邻层：例如中介层208和载片层201的解键合装置300。装置300包括(i)可吸附并且保护键合堆叠200的工件层202的平台310；(ii)可吸附住载片层201的机构320；以及(iii)用于输送气体射流至两个相邻层之间的接合部处的气体射流输送系统330。气体可选自空气、氮气、氦气、氩气、或者它们的任意混合，气体射流可通过管道经由喷嘴350释放中的气流来产生。气流的压强可以在2-10巴(bar)的范围，气流的流速可以在10-1000升/分钟的范围。

“输送气体射流”时，1至6个静止喷嘴350可置于静止的堆叠200周围，吹气体射流至接合部。在图3所示的另一些实例中，装置300可使一个或多个喷嘴绕静止的堆叠200旋转；当然，也可以使堆叠200相对于静止的一个或多个喷嘴旋转。气体射流产生对接合部的冲击力，首先撕开两个相邻层。然后，两个层不完全分离，气体射流继续对层201和208的解开部分或暴露表面产生冲击力，直到两个层完全分离。在分离之后，载片层201可在气体射流“上推”力的帮助下浮于中介层208上方。

在各种实例中，装置300可包括分离器340，其可施加力来移动平台310和机构320彼此远离，进而移动载片层201和工件层202彼此远离。在一些实例中，来自分离器340的力参与和/或促成两个相邻层的分离。参照图4，来自系统330的气体射流被输送至或吹到两个相邻层，例如中介层208和载片层201之间的接合部处，这两个层被分开或解键合。

将功能晶圆和Z-D200A型解键合机分别作为工件层202和装置300的代表性示例。Z-D200A型解键合机可从位于美国加利福尼亚州卡马里奥的Micro Materials公司商业购买获得。Z-D200A型解键合机可用于空气喷射解键合，在室温下可以在一分钟之内获得从其载片分离的解键合晶圆，并且不需要溶剂处理。Z-D200A型解键合机中包括的平台310是晶圆真空吸盘。在减薄工序中可用减薄晶圆与晶圆真空吸盘之间的切割保护胶带(未示出)进一步保护已经其它工艺处理过的工件层202。在优选实例中，晶圆解键合机包括150mm和200mm半自动晶圆解键合机的平台、室温解键合、大于0.7MPa的压缩空气压强(气体射流输送系统330的一部分)、带有可控空气瞄准和喷射的自动界面识别(相邻接合部识别)、用于将解键合了的载片卸载到盘盒(cassette)中的自动卸除器、以及可选的晶圆贴膜/带器，高达100UPH的解键合产率。

在运用实例中，利用Z-D200A型解键合机进行的解键合工序可以是(1)将键合堆叠200例如，将前期处理过的202层加载到台座(stage)上，载片层201在上面；(2)利用真空保持使载片层和工件层诸如功能晶圆保持平整，可选择性的将切割保护膜贴在功能晶圆上以用于额外保护；(3)通过如上所述的气体或空气喷射从中介层208上分离载片层；以及(4)将载片层201诸如载片晶圆或玻璃转移到载片匣(magazine)。本发明的这些实例非常适用于为MEMS、IC、存储器和CMOS图像传感器的3D垂直集成提供薄晶圆操作方案、以及提供350℃临时键合方案，这些方案同时与低应力空气喷射薄晶圆解键合相结合。利用Z-D200A型解键合机装置300进行解键合时，本发明的工艺在整个解键合过程期间不需要与薄晶圆和键合胶(中介层208)进行物理接触，对昂贵晶圆起到最大化的保护。

可以在气体喷射之前或气体喷射之后增加一些可选的子步骤。例如，在一些实例中，气体喷射之前可执行附加步骤以减小将分离或解键合的两个相邻层之间的剥离强度。如图5所示，可利用诸如活性能量射线照射、UV光照射、电子束照射、可见光照射、激光照射、红外线照射、热处理、电场处理、磁场处理、电磁波处理、超声处理、或者它们的任意组合来处理中介层208。处理后剥离强度减小到ASTM D6862认定的0.01至50.0g/cm的范围内，一般是0.01至10.0g/cm，进一步优化到0.01至5.0g/cm范围内。在一具体实例中，中介层208是用可UV固化的胶黏剂制成，当用UV光照射208层时，208层的化学属性被改变，使得胶黏剂的剥离强度减小到空气喷射解键合过程所需的更低范围。

在示例性实例中，在将气体射流输送至接合部之前，该工艺包括另外一个附加步骤：机械地和/或化学地打断或破坏接合部外周的一部分。例如，操作者可以使用锐利的工具诸如刀片来切除或者使用溶剂来溶解两个相邻层的接合部处的外周的一部分。如图6所示，在将气体射流输送至接合部之前，可使用刀片(未示出)来切割接合部或相邻层外周的一部分(例如，中介层208的一小部分)。被切除部分所占据的空间可接收更多气体射流，从而促进两个层之间的解键合。

在气体喷射工艺之后，本发明的工艺还包括分离堆叠200中彼此键合的两个层这一附加步骤。如图7所示，在分离中介层208和载片层201之后，中介层208和工件层202还保持着彼此之间的键合。可使用任何已知方法来对层208和202进行解键合。在优选实例中，可将层208从工件层202上整体移除(例如，物理剥离)，因此层208在该过程中仅是单个中介件，同时层208可由多个不同化学性质的子层进行层叠而成。在从工件层202去除层208时，平台310可选择性的继续保护工件层202。例如，在平台310继续保护功能晶圆的同时，可以从Si和玻璃表面容易地剥离Z-Bond 510膜。

示例

如图1和4所示的本发明的第一示例中，该工艺包括(1)在载片201上旋涂液体胶黏剂，并且将胶黏剂固化成干膜(层208)；(2)在膜的熔点以上温度下通过真空/压力来键合诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202；以及(3)在工件202经过后续工艺后，用空气喷射从干膜解键合载片201。

在图1和4所示的本发明的第二示例中，该工艺包括(1)将干的双面粘贴膜(作为层208)层压在载片201上；(2)用加热/压力/真空将诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202层压在双面粘贴膜上；以及(3)在工件202经过后续工艺后，用空气喷射从双面粘贴膜解键合载片201。

在图1、4和5所示的本发明的第三示例中，载片层201是透明玻璃，该工艺包括(1)在载片201上旋涂UV液体PSA胶黏剂(层208)，该PSA胶黏剂保持为湿的，并且不被烘干；(2)用压力/真空在PSA胶黏剂(层208)上键合诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202，然后后续工序处理工件层；(3)UV光穿过透明载片201照射到UV胶黏剂(层208)以固化胶黏剂，使得粘接层208对载片201和工件层202的粘接力被充分降低；以及(4)利用空气喷射从固化的粘接层208解键合载片201。

在图1、4、5和7所示的本发明的第四示例中，载片层201是透明玻璃，该工艺包括(1)将双面UV带(作为层208)层压在载片201上；(2)用加热/压力/真空将诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202层压在双面UV带上，然后后续工序处理工件层；(3)UV光穿过透明载片201照射到双面UV带(层208)上以使其固化，使得双面UV胶带对载片201和工件层202的粘接力被充分降低；(4)利用空气喷射从固化的双面UV带解键合载片201；以及(5)如图7所示，从工件层202剥离固化的双面UV胶带。

在图1和4所示的本发明的第五示例中，该工艺包括(1)在玻璃/裸硅片或晶圆的键合表面上旋涂来自Brewer Sciences公司的BrewerBOND 510(未示出)来制备载片层201，然后在205℃热板上烘烤键合表面60秒；(2)在诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202的键合表面上涂覆来自Brewer Sciences公司的液体胶黏剂BrewerBOND 220，并且将液体胶黏剂固化成干膜(层208)；(3)130℃通过压力/真空键合工件层202和载片层201；以及(4)在工件202经过后续工艺处理后，用空气喷射从干膜解键合载片层201。

在图1和4所示的本发明的第六示例中，该工艺包括(1)通过在玻璃/裸硅片或晶圆的键合表面上旋涂来自Brewer Sciences公司的BrewerBOND 510(未示出)来制备载片层201，然后在205℃热板烘烤键合表面60秒；(2)在诸如晶圆/基板/玻璃之类的工件层202的键合表面上涂覆来自位于加利福尼亚州卡马里奥的Micro Materials公司的液体胶黏剂Z-Bond 601；(3)150℃通过压力/真空键合工件层202和载片层201，同时将液体胶黏剂固化成干膜(层208)；以及(4)在工件202经过后续工艺处理后，用空气喷射从干膜解键合载片层201。

图8所示的堆叠200的临时键合结构一般应用到薄器件处理、薄/柔性基板制造、薄半导体晶圆制造、集成电路垂直堆叠、薄器件质量控制检查、薄器件输运和临时器件保护(抵抗机械震动/冲击等)。工件层202的示例包括半导体IC晶圆、薄基板、玻璃晶圆、待减薄玻片、待减薄基板、以及需要减薄的其它对象。

参照图8，面板(a)中的材料A可以是蜡(wax)、胶(glue)、干的叠层膜、黏性胶黏剂、液体胶黏剂、以及旋涂胶黏剂等的形式。当然，中介层208可以由三个层叠的子层制成，如面板(b)中所示；或者由两个层叠的子层制成，如面板(c)中所示。在面板(b)中，由材料B制成的第一子层281键合到载片层201。由材料C制成的第三子层283键合到工件层202。由材料X制成的第二子层282夹在第一子层281和第三子层283之间并且起到键合二者的作用。由材料X制成的第二子层282在面板(c)中被省略。

可利用多种已知挤压(extrusion)工艺(对于面板(a)中的配置)或共挤(coextrusion)工艺(对于面板(b)和(c)的配置)中的任意一种将中介层208制造为独立层。作为独立层，中介层208可夹在两层释放膜之间，在载片层201和/或工件层202之前进行剥离。

在各种实例中，树脂材料A具有合适的附着力，用来键合到层201和202。在这一示例中，具有附着属性的材料A包括两种或更多单体的聚合物，其中第一单体包括乙烯，第二单体包括丙烯酸酯，丙烯酸酯含量占聚合物的重量2％至40％。这样的聚合物一般将被称为乙烯丙烯酸酯(或EA)聚合物。

材料A、材料B和材料C可以彼此独立地使用压敏胶黏剂(PSA)、非PSA、UV固化胶黏剂或者它们的组合。例如，可以用活性能量射线固化、电子束固化(EBC)和UV/Vis固化进行PSA的交联(优选地降低对载片的剥离强度)。材料B和材料C可以化学上相同或不同，并且可具有不同的厚度。压敏胶黏剂的示例包括丙烯酸胶黏剂，橡胶胶黏剂、乙烯醋酸乙烯酯、腈、SBC、乙烯基烷基醚胶黏剂、硅酮胶黏剂、聚酯胶黏剂、聚胺胶黏剂、聚氨酯胶黏剂、氟胶黏剂以及环氧树脂胶黏剂。这些胶黏剂可以单独使用或者两种或更多种组合使用。胶黏剂可以是任何类型的胶黏剂，例如乳胶型胶黏剂、溶剂型(溶液型)胶黏剂、活性能量射线固化胶黏剂、热熔胶黏剂(热融胶黏剂)，并且也可以使用其它胶黏剂。

对于含有子层281和283的某些中介层208，可在它们之间使用材料X制成的子层282。制备这种层的方法不受特定限制，比如在材料X制成的子层上施加(涂覆)材料B/C，作为基底材料或释放衬层，并且根据需要烘干和/或固化该制品。可以使用任何已知的涂覆方法制备膜层，并且可以使用常规涂覆机，诸如凹版辊涂覆机、逆辊涂覆机、添液辊涂覆机、浸没辊涂覆机、棒式涂覆机、刀式涂覆机、喷涂机、缺角轮涂覆机(comma coater)、以及直接涂覆机。

材料X可以选自诸如各种纸张之类的纸基材料、诸如各种树脂(例如烯烃树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯树脂、醋酸乙烯树脂、酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚醚酮树脂、聚苯硫醚等)的膜和片之类的塑料基材料、诸如橡胶片材之类的橡胶基材料、诸如纺织和无纺布、毡和网之类的纤维基材料、诸如泡沫片材之类的泡沫材料、诸如金属箔和金属板之类的金属基材料或者它们的层压膜等。材料X可以是单层或多层。根据改善到子层281和283的粘接性的需要，材料X的表面可以受到任何已知或常用的表面处理，例如通过化学或物理方法进行氧化，诸如铬酸盐处理、臭氧处理、火焰曝露、高压强电击曝露、或者电离辐射处理，以及利用底层涂剂进行的涂覆处理。

就分离功能晶圆202和载片晶圆201的效率而言，本发明相对于包括激光烧蚀、等离子体蚀刻、喷水、锯或切割等以蚀刻、分解或劈开键合层的已知技术是有优势的，因为功能晶圆和载片晶圆可以通过剥离中介层208而非常容易地分开。本发明可以就以下方面提高薄晶圆操作的性能：在解键合步骤中有更低的应力，并且在移除键合层时具有更高的效率，不需要牺牲诸如热稳定性之类的其它性能，兼容苛刻的背面处理工艺，通过包封而保护晶圆前侧上的凸块，以及前侧面上有更少的缺陷。

在前面的说明中，已经参照许多具体细节描述了本发明的实例，这些具体细节可以因实施方式不同而发生变化。因此，说明书和附图应被视为是示例性而非限制性的。对发明范围唯一并且专门的说明，以及申请人意图的发明范围，参看随本申请一起按特定形式发布的权利要求，同时包括任何后续修正的文字及其范围。