1.一种LED的封装结构，其特征在于：包括基板、LED芯片、导电粘结剂及荧光胶，所述基板上下表面均设有电极，所述LED芯片底部设有电极，所述LED芯片置于所述基板上，通过所述导电粘结剂与所述基板的上表面电极连接导通，所述荧光胶设于所述基板上，并将所述LED芯片和所述基板四周覆盖，所述荧光胶底部与基板底部齐平。
2.一种如权利要求1所述LED的封装结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、将整片基板贴在切割用的胶膜上，切割基板成若干独立基板单元；
步骤二、将所述若干独立基板单元转移并阵列置于固定膜上，所述基板之间留有间隙，所述固定膜贴附在载板上；
步骤三、将若干LED芯片分别固定在所述基板单元上，所述LED芯片底部设有电极，通过导电粘结剂与所述基板上表面电极连接导通；
步骤四、将荧光胶涂布在所述LED芯片上，所述荧光胶完全覆盖所述LED芯片并填充满步骤二中所述基板之间的间隙，所述基板单元、所述LED的顶面和四个侧面均有荧光胶包裹，固化成型；
步骤五、将成型后的料片，沿着两两所述基板单元的中心线进行切割成成品单元；
步骤六、将置于基板单元下方的固定膜进行分离。
3.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，所述LED芯片的尺寸为20mil*20mil~50mil*50mil。
4.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，所述固化成型分为3个阶段：第1阶段：于80℃固化60min；第2阶段：于150℃固化120min；第3阶段：于30℃冷却60min。
5.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述LED芯片以等间距的方式阵列排布。
6.如权利要求5的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述LED芯片以等间距0.2~3mm的方式阵列排布。
7.如权利要求2的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述固定膜为热解胶膜。
8.如权利要求7的一种LED的封装结构的制备方法，其特征在于：所述热解胶膜的解胶温度为180-220℃。