1.一种半导体制造装置用部件，其是接合于氮化铝基部件的半导体制造装置用部件，其中，
作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料，
所述氮化铝假多晶型具有27R相及21R相中的至少一种周期结构，所述复合材料在室温下的热传导率为50W/mK以下。
2.一种半导体制造装置用部件，其是接合于氮化铝基部件的半导体制造装置用部件，其中，
作为材料，使用以氮化铝和包含硅、铝、氧以及氮的氮化铝假多晶型为主要构成相的复合材料，
所述氮化铝假多晶型的X射线衍射峰至少出现在2θ＝59.8～60.8°，所述复合材料的热传导率在室温下为50W/mK以下。
3.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料的氮化铝中固溶有硅及氧中的至少1种元素。
4.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料的Al、N、Si、O的质量比例在使Al、N、Si、O的总质量为100时，Al：N：Si：O＝59～63：29～34：1～5：2～8。
5.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料含有稀土金属的氧化物及稀土金属的氮氧化物中的至少一者，在使除所述稀土金属元素以外的元素的总质量为100时，所述稀土金属元素的质量比例大于0且在3.0以下。
6.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料在550℃下的热传导率为30W/mK以下。
7.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料在40～1000℃下的热膨胀系数为5.5～6.0ppm/℃。
8.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料的开口气孔率为0.5％以下。
9.根据权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，其中，
所述复合材料的4点弯曲强度为250MPa以上。
10.一种半导体制造装置用部件的制法，其中，
按相对于氮化铝、氧化铝及氮化硅的合计质量，氮化铝为81～95质量％、氧化铝为3～13质量％、氮化硅为2～9质量％，将氮化铝、氧化铝及氮化硅混合，制成调合粉末，将该调合粉末成型而制成成型体，将该成型体于1750～1850℃进行烧成，由此得到权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件。
11.根据权利要求10所述的半导体制造装置用部件的制法，其中，
在所述调合粉末中添加有作为烧结助剂成分的稀土氧化物。
12.一种附带有轴的加热器，其包括：
轴，所述轴为权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件，和
晶片支撑加热器，所述晶片支撑加热器接合于所述轴，且使用氮化铝基材料作为材料。
13.根据权利要求12所述的附带有轴的加热器，其中，
所述轴与所述晶片支撑加热器在40～1000℃下的热膨胀系数差为0.3ppm/℃以下。
14.根据权利要求12所述的附带有轴的加热器，其中，
将所述轴和所述晶片支撑加热器接合的接合层包含氮化铝、尖晶石以及稀土氟氧化物。
15.根据权利要求13所述的附带有轴的加热器，其中，
将所述轴和所述晶片支撑加热器接合的接合层包含氮化铝、尖晶石以及稀土氟氧化物。