1.一种薄膜晶体管，其特征在于，它包括分别作为源极和漏极的源漏电极层，作为栅极的导电薄膜层，作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层，以及设置在所述导电薄膜层和所述金属氧化物半导体薄膜层之间的同时充当绝缘层和衬底层的绝缘衬底层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述绝缘衬底层为玻璃、塑料或纸张，且所述绝缘衬底层的厚度为10 微米～1000 微米。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属氧化物半导体薄膜层的外侧表面或内部设置所述源漏电极层。
4.根据权利要求3所述薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极层设置在所述金属氧化物半导体薄膜层的外侧表面，构成所述金属氧化物半导体薄膜层夹持在所述源漏电极层和所述绝缘衬底层之间的三层夹心结构。
5.根据权利要求3所述薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极层设置在所述金属氧化物半导体薄膜层的内部，且所述源漏电极层与所述绝缘衬底层接触设置。
6.根据权利要求4或5所述的薄膜晶体管，其特征在于，作为有源层的所述金属氧化物半导体薄膜层为厚度30 nm～50 nm的ZnO薄膜、InZnO薄膜、InGaZnO薄膜或ZnSnO薄膜；分别作为源极和漏极的所述源漏电极层为铝薄膜；作为栅极的所述导电薄膜层为厚度50 nm～80 nm的ITO导电薄膜层。
7.一种制备权利要求1所述薄膜晶体管的方法，它包括在绝缘衬底层一侧制备导电薄膜层作为栅电极；在所述绝缘衬底层的另一侧分别制备作为有源层的金属氧化物半导体薄膜层和作为源极和漏极的源漏电极层。
8.根据权利要求7所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，它具体包括以下步骤：
在低压高纯氩气条件下，利用射频磁控溅射法在所述绝缘衬底层一侧表面制备厚度为50 nm～80 nm的所述导电薄膜层作为栅电极；
分别利用脉冲激光沉积法和热蒸发镀膜法在所述绝缘衬底层的另一侧表面制备厚度为30 nm～50 nm的作为有源层的所述金属氧化物半导体薄膜层和厚度为30 nm～40 nm的作为源极和漏极的所述源漏电极层。
9.根据权利要求8所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘衬底层的另一侧分别制备作为有源层的所述金属氧化物半导体薄膜层和作为源极和漏极的所述源漏电极的步骤包括：
首先利用脉冲激光沉积法在所述绝缘衬底层的另一侧表面制备所述金属氧化物半导体薄膜层作为有源层，然后利用热蒸发镀膜法在所述金属氧化物半导体薄膜层表面制备所述源漏电极层作为源极和漏极，从而使得所述源漏电极层设置在所述金属氧化物半导体薄膜层的外侧表面，构成所述金属氧化物半导体薄膜层夹持在所述源漏电极层和所述绝缘衬底层之间的三层夹心结构。
10.根据权利要求8所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在所述绝缘衬底层的另一侧分别制备作为有源层的所述金属氧化物半导体薄膜层和作为源极和漏极的所述源漏电极的步骤包括：
首先利用热蒸发镀膜法在所述绝缘衬底层的另一侧表面制备所述源漏电极层作为源极和漏极；然后利用脉冲激光沉积法在蒸镀有所述源漏电极层的所述绝缘衬底层一侧表面制备所述金属氧化物半导体薄膜层作为有源层，从而使得所述源漏电极层设置在所述金属氧化物半导体薄膜层的内部，且所述源漏电极层与所述绝缘衬底层接触设置。