1.一种石墨烯射频天线,其特征在于,包括:衬底(1)、绝缘层(2)、馈电传输线(3)、接地电极(4)以及辐射贴片(5);
所述绝缘层(2)覆盖于所述衬底(1)上;
所述馈电传输线(3)与辐射贴片(5)相连,覆盖于所述绝缘层(2)上;
所述接地电极(4)覆盖于所述绝缘层(2)上;
所述馈电传输线(3)与所述接地电极(4)共面,共同组成共面波导馈电结构;
所述辐射贴片(5)是石墨烯贴片。
2.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线,其特征在于,所述辐射贴片(5)的长度范围为1190微米~1210微米,宽度范围为1662微米~1682微米,厚度为10纳米。
3.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线,其特征在于,所述衬底(1)为2厘米×2厘米,厚度为600微米的本征硅衬底。
4.根据权利要求1所述的石墨烯射频天线,其特征在于,所述绝缘层(2)为2厘米×2厘米,厚度为300纳米的二氧化硅绝缘层。
5.一种如权利要求1至4任一项所述的石墨烯射频天线的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜得到绝缘层(2);
将石墨烯转移至所述绝缘层(2)上;
将已经转移的石墨烯刻蚀成辐射贴片(5);
为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3),在绝缘层上沉积接地电极(4),形成一个石墨烯射频天线。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜得到绝缘层(2),包括:
通过等离子体增强化学气相沉积PECVD方法,在所述硅衬底(1)上沉积二氧化硅薄膜,得到所述绝缘层(2)。
7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述将已经转移的石墨烯刻蚀成辐射贴片(5),包括:
将已经转移的石墨烯,通过紫外光刻以及感应耦合等离子体刻蚀ICP技术刻蚀成辐射贴片(5)。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3),在绝缘层上沉积接地电极(4),形成一个石墨烯射频天线,包括:
通过紫外光刻为所述辐射贴片(5)添加馈电传输线(3),通过磁控溅射技术在绝缘层上沉积接地电极(4),形成一个石墨烯射频天线。
9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述辐射贴片(5)的长度范围为1190微米~1210微米,宽度范围为1662微米~1682微米,厚度为10纳米。