本发明涉及半导体器件的生产的技术领域，尤其涉及一种半导体器件的生产方法。
背景技术：
半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。其包括晶体二极管、双极型晶体管和场效应晶体管等。半导体器件在生产过程中，需要使用锡膏涂覆在引线框架上，再将芯片覆盖在锡膏上，具体而言，一般经过以下步骤：先将冷冻保存的锡膏解冻，将解冻后的锡膏在引线框架上涂覆，将芯片以贴片的形式设置在引线框架上，再经过回流焊，最终形成成品。传统的生产过程中，锡膏一般通过点胶的方式涂覆在引线框架上，生产效率不高，而将锡膏通过印刷的方式直接印刷在引线框架上的效率更高，因此得到越来越多的采用，且很多倒装芯片必须采用印刷锡膏的方式比较精确的控制锡膏的量。由于锡膏本身的特点，锡膏在涂覆后应该要在1个小时内完成后续的流程，即直至完成回流焊，否则锡膏中的助焊剂会挥发出去，产生回流焊时芯片剥离、焊接不牢固和气泡过大等问题，导致产品报废。因此，印刷锡膏的设备的高生产率会对后续的流程造成很大的压力，在实际生产过程中，常常由于焊接芯片的设备和回流焊设备的异常以及总负载能力偏低等特点，导致半成品(即印刷有锡膏的引线框架和设置有芯片的引线框架)滞留时间超过一个小时而报废，造成极大浪费，而且印刷锡膏的设备不能满产能运转，导致产能浪费。
技术实现要素：
本发明的目的在于提出一种半导体器件的生产方法，通过延长涂覆有锡膏的半导体器件半成品的保存期，避免半导体器件成品浪费，极大的提高了生产的灵活性。
为达此目的，本发明采用以下技术方案：
一种半导体器件的生产方法，其特征在于，包括：
S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；
S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。
其中，步骤S4之前包括：
S1：解冻锡膏；
S2：在引线框架上设置锡膏；
S3：在引线框架上设置芯片；
所述半导体器件半成品包括设置有锡膏的引线框架和/或设置有芯片的引线框架。
其中，步骤S5中的继续使用包括：将解冻后的半导体器件半成品进行回流焊处理。
其中，所述锡膏通过印刷的方式设置于所述引线框架上。
其中，半导体器件半成品在-18℃到5℃之间储存。
其中，所述半导体半成品解冻到10℃到30℃之间。
其中，步骤S4中，涂覆有锡膏的半导体器件半成品经过抽真空密封后在低温下储存。
其中，抽真空密封具体包括：涂覆有锡膏的半导体器件半成品置于料盒，放入密封袋中，抽真空。
其中，所述密封袋为铝箔袋或塑料袋。
其中，涂覆有锡膏的半导体器件半成品放入冷柜中实现低温储存。
有益效果：本发明提供了一种半导体器件的生产方法，包括：S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。通过在低温下保存涂覆有锡膏的半导体器件半成品，可以避免锡膏内的助焊剂挥发，不需要限定在1个小时内完成后续工艺，即使遇到后续工艺设备出现故障时，也可以避免浪费，极大的提高了生产的灵活性，且不再限制锡膏的涂覆设备的产能，可以满产能运转，避免产能浪费。
附图说明
图1是本发明供的半导体器件的生产方法。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。
本发明提供了一种半导体器件的生产方法，其包括：
S1：解冻锡膏；
S2：在引线框架上设置锡膏；
S3：在引线框架上焊芯片；
S4：将涂覆有锡膏的半导体器件半成品在不超过5℃的低温中储存；
S5：将在低温下储存的半导体器件半成品解冻到5℃以上后继续使用。
本发明通过将涂覆有锡膏的半导体器件半成品低温储存的方式，利用锡膏在低温下凝固的特点，可以避免锡膏内的助焊剂挥发，达到长时间保持半成品的目的，只需要在进行后续工艺前对低温储存的半成品解冻，再继续完成后续工艺即可。通过此种方式，可以有效地延长保存期，不需要限定在1个小时内完成后续工艺，在后续工艺的设备，如芯片贴片设备和回流焊设备出现故障时，可以将半成品保存，避免浪费。且对于使用印刷锡膏的高产能方式而言，对半成品的保存还可以满产能运转印刷锡膏的设备，印刷后的大量半成品可以在低温中存储，不必压制印刷设备的产能，避免产能浪费。
具体而言，半导体器件半成品可以是步骤S1-S3的过程中所生产的引线框架，即包括设置有锡膏的引线框架和焊接芯片后的引线框架。也可以是通过其他方式制备获得的带有锡膏的半成品，只要是在上面设置有锡膏的具有较短时限的半成品而言，都可以采用低温储存后再解冻的方式来延长锡膏的保持时间，从而突破短期处理的局限，极大的提高了生产过程中的灵活性。锡膏可以通过印刷的方式设置在引线框架上，以获得较高的工作效率，减低其生产成品，且便于控制涂覆的厚度。低温储存的温度一般控制在-18℃到5℃之间比较合适，既能较好的保存半成品中的锡膏，又避免温度太低影响锡膏的性能。低温存储通过常用的冷却储存设备，如冷柜等冷却设备实现即可，此时一般可以控制在-10℃到5℃，降低制冷设备的功耗，降低成本。在继续使用前，一般将半导体半成品解冻常温即可，常温是指室温，一般在10℃到30℃之间。
本发明中，步骤S5中的继续使用包括：将解冻后的半导体器件半成品进行回流焊处理，将锡膏熔化，使得芯片和引线框架牢固的焊接在一起。
在步骤S4中，涂覆有锡膏的半导体器件经过抽真空密封后在低温下储存。抽取真空密封后再存储的方式可以避免在低温冷藏和解冻时，水蒸气等吸附在锡膏上，影响锡膏的质量，造成焊接后产品质量不佳。具体而言，抽真空密封的方式可以包括：将涂覆有锡膏的半导体器件置于料盒中，再将放入密封袋中，进行抽真空处理。通过密封带密封使用方便、成本低。密封袋可以是为铝箔袋或塑料袋等常用的密封袋，成本低，也可以使用其他的密封袋，只需要能较好的密封即可。
以上内容仅为本发明的较佳实施例，对于本领域的普通技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。