1.基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：以P-型硅基底层(1)作为衬底，在所述P-型硅基底层(1)的上表面沿垂直方向生长有二氧化钛纳米管阵列(2)，在所述二氧化钛纳米管阵列(2)的上表面覆盖有绝缘层(3)，所述绝缘层(3)的面积为所述二氧化钛纳米管阵列(2)的面积的1/4到1/3，所述绝缘层(3)的边界不超出所述二氧化钛纳米管阵列(2)的边界；在所述绝缘层(3)上覆盖有双层或三层氮掺杂石墨烯(4)，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)一部分与所述绝缘层(3)接触，剩余部分覆盖在所述二氧化钛纳米管阵列(2)上，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)的边界不超出所述二氧化钛纳米管阵列(2)的边界；在双层或三层氮掺杂石墨烯(4)上设置有金属电极层(5)，所述金属电极层(5)与所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)呈欧姆接触，所述金属电极层(5)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界。
2.根据权利要求1所述的基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：所述金属电极层(5)为银浆电极或金浆电极；所述金属电极层(5)的厚度为10～30μm。
3.根据权利要求1所述的基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：所述P-型硅基底层(1)采用电阻率为0.0002～0.001Ω/cm的P-型重掺杂硅片。
4.根据权利要求1所述的基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：所述绝缘层(3)为绝缘胶带。
5.根据权利要求1所述的基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器，其特征是：所述二氧化钛纳米管阵列(2)中各二氧化钛纳米管的直径为200nm～1000nm。
6.一种权利要求1所述的基于双层或三层氮掺杂石墨烯/二氧化钛纳米管阵列肖特基结的紫外光电探测器的制备方法，其特征是按如下步骤进行：
a、取电阻率为0.0002～0.001Ω/cm的P-型重掺杂硅片作为P-型硅基底层(1)，在真空管式炉中，在1000℃的温度条件下，以纯度为99.99％～99.999％的氧化锌粉末和纯度为99.9％～99.99％的石墨粉作为原料，在所述P-型硅基底层(1)上制备二氧化钛纳米管阵列(2)，自然冷却至室温后，取出生长有二氧化钛纳米管阵列(2)的P-型硅基底层(1)；
b、用绝缘胶带作为绝缘层(3)粘贴覆盖步骤a生长的二氧化钛纳米管阵列(2)面积的1/4到1/3；
c、在步骤b所制备的绝缘层(3)上铺设双层或三层氮掺杂石墨烯(4)，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)一部分与所述绝缘层(3)接触，剩余部分覆盖在所述二氧化钛纳米管阵列(2)上，所述双层或三层氮掺杂石墨烯(4)的边界不超出所述二氧化钛纳米管阵列(2)的边界；
d、在双层或三层氮掺杂石墨烯(4)上涂抹金属电极层(5)，所述金属电极层(5)的边界不超出所述绝缘层(3)的边界。