技术特征：
技术总结
本公开的实施例提供一种制造半导体装置的方法。该方法包括：形成第一栅极堆叠于基底上方。第一栅极堆叠包括栅极电极、设置于栅极电极上方的第一硬掩模(HM)及沿着第一栅极堆叠的侧壁的侧壁间隔物。该方法亦包括：形成第一介电层于第一栅极堆叠上方；形成第二硬掩模于第一硬掩模及侧壁间隔物的顶表面上方；形成第二介电层于第二硬掩模及第一介电层上方；及移除第二介电层及第一介电层以形成沟槽并暴露基底的一部分，而第二硬掩模设置于第一栅极堆叠上方。
技术研发人员：刘晓萍;林睿哲;李亚莲;许宏彰;林圣轩;高研硕;苏鸿文;蔡明兴;章勋明
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.11.30
技术公布日：2017.07.21