1.一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1、选取半绝缘衬底，并在所述半绝缘衬底表面采用分子束外延法生长P型β-Ga2O3层，并通过干法刻蚀形成P型β-Ga2O3台面；
步骤2、在所述β-Ga2O3台面表面两侧采用离子注入工艺形成源区和漏区；
步骤3、采用第一掩膜版，在所述源区和漏区侧的斜面上分别生长源电极和漏电极；
步骤4、采用第二掩膜版，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在所述源区侧溅射形成第一栅介质层；
步骤5、采用第三掩膜版，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在所述漏区侧溅射形成第二栅介质层以形成复合双栅介质层；
步骤6、在所述复合双栅介质层表面形成盖帽层；
步骤7、采用第四掩膜版，在所述盖帽层表面形成栅电极，最终形成所述NMOSFET。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述β-Ga2O3台面表面两侧采用离子注入工艺形成源区和漏区，包括：
在所述β-Ga2O3台面表面相对的两侧位置处采用离子注入工艺形成源漏轻掺杂区；
在所述源漏轻掺杂区的边缘处采用离子注入工艺形成源漏重掺杂区。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第二掩膜版，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在所述源区侧溅射形成第一栅介质层，包括：
采用所述第二掩膜版，选用Al材料作为溅射靶材，以氩气和氧气作为溅射气体通入溅射腔，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面靠近所述源区侧溅射Al2O3材料以形成所述第一栅介质层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用第三掩膜版，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面利用磁控溅射工艺在所述漏区侧溅射形成第二栅介质层，包括：
采用所述第三掩膜版，选用Y2O3材料作为溅射靶材，以氩气和氧气作为溅射气体通入溅射腔，在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面靠近所述漏区侧溅射Y2O3材料形成所述第二栅介质层。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述复合双栅介质层表面形成盖帽层，包括：
利用ALD工艺，在所述复合双栅介质层表面以La源和等离子氧作为前驱气体形成所述盖帽层。
6.一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET，其特征在于，所述NMOSFET由权利要求1-5任一项所述的方法制备形成。
7.一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1、在SiC或蓝宝石的P型衬底上采用分子束外延法生长P型β-Ga2O3层，并通过干法刻蚀工艺形成P型β-Ga2O3台面以制备出NMOSFET的有源区；
步骤2、在所述β-Ga2O3台面表面两侧采用离子注入工艺形成源区和漏区；
步骤3、在所述β-Ga2O3台面另外两侧的斜面形成盖帽层；
步骤4、在所述盖帽层表面在靠近所述源区侧形成第一栅介质层且在靠近所述漏区侧形成第二栅介质层以形成复合双栅介质层；
步骤5、在所述复合双栅介质层表面形成栅电极，最终形成所述NMOSFET。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述β-Ga2O3台面表面两侧采用离子注入工艺形成源区和漏区之后，还包括：
在所述源区和所述漏区表面分别生长源电极和漏电极。
9.一种基于Ga2O3材料的帽层复合双栅NMOSFET，其特征在于，所述帽层复合双栅NMOSFET由权利要求7-8任一项所述的方法制备形成。