技术总结
一种用于多层全息天线的GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管制备方法。该制备方法包括：(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs‑Ge‑GaAs异质结构的pin二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基pin二极管。
技术研发人员：尹晓雪;张亮
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
文档号码：201611184337
技术研发日：2016.12.20
技术公布日：2017.05.31