技术特征：
技术总结
本发明公开一种双面型太阳能电池结构的制造方法，包括下列步骤：在半导体基材的第一表面上进行硼扩散的制造过程步骤，以形成P+型区域，并且在所述P+型区域上形成硼硅玻璃层；移除所述P+型区域上的所述硼硅玻璃层，以曝露所述P+型区域；在所述P+型区域上形成第一抗反射层；在所述第一抗反射层上形成牺牲层；在所述半导体基材的第二表面上进行磷扩散的制造过程步骤，以形成N+型区域并且在所述N+型区域形成一磷硅玻璃层；移除在所述N+型区域上的所述磷硅玻璃层以曝露所述N+型区域，并且同时移除在所述第一抗反射层上的所述牺牲层；以及，在所述N+型区域上形成第二抗反射层。牺牲层可以保护半导体基材的第一抗反射涂层，以避免针孔或缺陷的形成。
技术研发人员：黄昱翔;程昱达;陈传祺;林佳龙;曹金豹;简荣吾;烟浩
受保护的技术使用者：英稳达科技股份有限公司
技术研发日：2016.12.26
技术公布日：2017.08.01