1.一种具有变色功能的GaN基LED的结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上设有n型层、量子阱层和p型层，其特征在于：在所述n型层内设有一掺杂C元素的GaN黄带发光层，厚度为2-20μm，C元素掺杂浓度为1×1019-1×1021cm-3；量子阱层通电时发射蓝光，量子阱层所发射的蓝光激发GaN黄带发光层发射黄光。
2.根据权利要求1所述的具有变色功能的GaN基LED的结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底中的一种。
3.根据权利要求1所述的具有变色功能的GaN基LED的结构，其特征在于：通过调节所述具有变色功能的GaN基LED的输入电流的大小，来调制GaN黄带发光层发射的黄光和量子阱层发射的蓝光的配比，获得不同颜色的光。
4.根据权利要求3所述的一种具有变色功能的GaN基LED的调节方法，其特征在于：通过改变输入电流，使得所述具有变色功能的GaN基LED可发射黄光、白光以及蓝光。