1.一种ON-CELL用ITO透明导电膜，其特征在于，所述ON-CELL用ITO透明导电膜包括有A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层，所述A模层为氧化铌膜层与二氧化钛膜层中的任意一种，所述ON-CELL用ITO透明导电膜膜层结构依次为：A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层。
2.一种按照权利要求1所述的ON-CELL用ITO透明导电膜制作工艺，其特征在于，所述ON-CELL用ITO透明导电膜制作工艺包括有如下工艺步骤：
1）将玻璃基板、A靶材、硅靶以及ITO靶材分别安装在镀膜箱体之中，并对镀膜箱体进行抽真空处理，所述A靶材为氧化铌靶材与二氧化钛靶材中的任意一种；
2）将镀膜箱体内部在300～500℃的温度环境下烘烤3～6h，以去除镀膜箱体内部杂质气体；
3）当镀膜箱体内部真空度达到5*10-4pa时，向镀膜箱体内充入纯度为99.99%的氩气与氧气，直至镀膜箱体内部工作压强达到0.1～0.6Pa，镀膜箱体内部ITO靶材所处位置氧气占比为5～10%；
4）在70℃的环境温度下开启A靶材、硅靶与ITO靶材电源，当A靶材、硅靶与ITO靶材的靶材表面分别形成等离子区，在镀膜箱体内进行磁控溅射，通过氩气轰击靶材表面，以在玻璃基板上依次沉积A膜层、二氧化硅膜层、ITO膜层，得到成型面板；所述A膜层为步骤1）所采用的氧化铌靶材与二氧化钛靶材所得到的对应膜层；
5）将完成镀膜后的成型面板置于退火箱体内进行真空冷却退火处理，退火箱体内部安装有冷却板，成型面板置于置于冷却板之上进行退火处理，冷却板温度为8至15℃，退火时间为20至40min。
3.按照权利要求1所述的ON-CELL用ITO透明导电膜制作工艺，其特征在于，所述步骤1）中的ITO靶材内氧化铟和氧化锡的质量比例为90:10。
4.按照权利要求1所述的ON-CELL用ITO透明导电膜制作工艺，其特征在于，所述步骤4）之中，成型面板A膜层厚为8～12nm，二氧化硅膜层厚为20～50nm，ITO膜层厚为110～160nm。