1.一种射频天线开关芯片，其特征在于，包括：基板、射频开关管芯及至少一个滤波器管芯；其中：
所述射频开关管芯倒扣贴装在所述基板上；
所述滤波器管芯采用集成无源器件IPD工艺制成，所述滤波器管芯包括电感元件与电容元件，并与所述基板相连；所述滤波器管芯与所述射频开关管芯通过堆叠粘贴相连。
2.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述射频开关管芯通过金属凸块倒扣贴装在所述基板上。
3.根据权利要求2所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述金属凸块为铜柱或者锡球。
4.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述滤波器管芯通过键合引线与所述基板相连。
5.根据权利要求4所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述键合引线为直径大于等于25um的铜线或者金线。
6.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述滤波器管芯包括：第一电感、第二电感、第三电感、第四电感、第五电感、第一电容、第二电容及第三电容；其中：
所述第一电感、所述第二电感及所述第三电感依次串联；
所述第一电容与所述第二电感并联；
所述第一电感和所述第二电感的连接点与所述第二电容的一端相连，所述第二电容的另一端与所述第四电感的一端相连；
所述第二电感和所述第三电感的连接点与所述第三电容的一端相连，所述第三电容的另一端与所述第五电感的一端相连。
7.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述基板包括：第一金属层、介质层、第二金属层及通孔；其中：
所述介质层设置于所述第一金属层与所述第二金属层之间；
所述第二金属层上设置有所述射频天线开关芯片的封装管脚；
所述通孔设置于所述介质层中；
所述通孔中和所述第一金属层上设置有连接所述射频开关管芯、所述滤波器管芯及所述封装管脚的金属走线。
8.根据权利要求7所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述射频天线开关芯片采用栅格阵列封装LGA技术封装。
9.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述滤波器管芯上设置电路的一面的平行面与所述射频开关管芯上设置电路的一面的平行面通过堆叠粘贴相连。
10.根据权利要求1所述的射频天线开关芯片，其特征在于，所述射频开关管芯采用CMOS工艺、SOI工艺或者GaAs工艺。