本实用新型涉及一种刻蚀系统，具体为一种光伏硅片均匀刻蚀装置，属于半导体技术领域。
背景技术：
半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电子功能。其中，任何一步的工艺出现偏差，都可能会造成电路的性能参数偏离设计值。目前，随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断地比例缩小，集成度不断地提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求，刻蚀，它是半导体制造工艺，微电子制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤，目前的刻蚀系统只能调整一个刻蚀参数即刻蚀时间来控制目标值，而不能调整刻蚀的均匀性，导致生产出的产品合格率大大降低，增大生产成本，因此针对上述问题，我们提出了一种光伏硅片均匀刻蚀装置。
技术实现要素：
本实用新型提供一种光伏硅片均匀刻蚀装置，通过控制终端内设置有刻蚀均匀系统，解决了现有的刻蚀系统刻蚀不均匀的问题。
为了解决上述技术问题，本实用新型提供了如下的技术方案：
本实用新型提供一种光伏硅片均匀刻蚀装置，包括运行控制器、进料口、刻蚀槽、硅片清洗喷头、碱洗槽、去PSG槽、分刀式吹干机和出料口，所述控制终端底侧设有进料口，所述进料口与刻蚀槽固定连接，所述刻蚀槽内安装有硅片清洗喷头，所述刻蚀槽一端与碱洗槽固定连接，所述碱洗槽一端与去PSG槽固定连接，所述去PSG槽一端与分刀式吹干机连接，所述分刀式吹干机一端设置有出料口。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述碱洗槽内设置有所述硅片清洗喷头。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述去PSG槽内设置有所述硅片清洗喷头。
作为本实用新型的一种优选技术方案，所述刻蚀槽与所述碱洗槽内设有多种强腐蚀性化学药品。
本实用新型所达到的有益效果是：
本实用新型适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本实用新型通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀性系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。
在附图中：
图1是本实用新型的结构图图；
图中标号：1、控制终端；2、进料口；3、刻蚀槽；4、硅片清洗喷头；5、碱洗槽；6、去PSG槽；7、分刀式吹干机；8、出料口。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例：如图1所示，本实用新型提供一种光伏硅片均匀刻蚀装置，包括控制终端1、进料口2、刻蚀槽3、硅片清洗喷头4、碱洗槽5、去PSG槽6、分刀式吹干机7和出料口8，控制终端1底侧设有进料口2，进料口2与刻蚀槽3固定连接，刻蚀槽3内安装有硅片清洗喷头4，刻蚀槽3一端与碱洗槽5固定连接，碱洗槽5一端与去PSG槽6固定连接，去PSG槽6一端与分刀式吹干机7连接，分刀式吹干机7一端设置有出料口8。
碱洗槽5内设置有硅片清洗喷头4，硅片清洗喷头4可以有效清洗产品在碱洗槽5内洗涤时所粘上的碱性物质。
去PSG槽6内设置有硅片清洗喷头4，硅片清洗喷头4可以有效清洗产品在PSG槽6内粘上的杂质。
刻蚀槽3与碱洗槽5内设有多种强腐蚀性化学药品，刻蚀槽3的酸性物质对产品起到了很好地刻蚀作用，碱洗槽5内的强碱物质对于强酸可以起到很好的一个中和作用。
本实用新型在使用时，启动设备，物料从进料口进入刻蚀槽内，在蚀槽内先对物料进行喷蜡，喷蜡完成后使用KOH和BDG对产品去除蜡和多孔硅，之后使用HF和HCL对物料去除磷硅玻璃和金属离子，通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，刻蚀完成后使用硅片清洗喷头对物料进行清洗，在碱洗槽5内的强碱物质可 以很好对在刻蚀槽3内粘上的强酸物质起到中和作用，在进行清洗和烘干后就可以出料。
本实用新型所达到的有益效果是：
本实用新型适应性强，表面刻蚀均匀性好、对硅片损伤少，几乎适用于所有的金属、玻璃、塑料等材料，相对于传统的刻蚀系统，本实用新型通过控制终端收集数据，对收集到的数据进行分析，通过调整刻蚀均匀系统调整刻蚀均匀性，有效地提高工作效率，具有良好的经济效益和社会效益，适宜推广使用。
最后应说明的是：以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。