技术总结
本实用新型公开了一种氮化镓基大功率芯片散热结构，包括散热底片，散热底片上均匀开有多个散热孔，散热底片的下表面均匀设置有多个散热翅片，且散热翅片均匀分布于散热孔之间；散热底片的上表面上从下至上依次设置有三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层，散热底片的上表面上且邻近边缘处固定设置有四个均匀分布的定位柱，四个定位柱的顶端依次穿过三氧化二铝衬底层、N型氮化镓子层、P型氮化镓子层和透明导电层。本实用新型采用散热孔和散热翅片的组合，可将热量快速散发出去，可延长芯片的使用寿命，采用定位柱与定位孔配合，有利于安装时精准定位，可降低制造成本，降低产品不良率。
技术研发人员：张自锋;余建立
受保护的技术使用者：巢湖学院
文档号码：201620504251
技术研发日：2016.05.23
技术公布日：2016.12.07