1.一种大电流功率半导体器件的封装结构，包括环氧树脂封装体（1）、引线框架（2）、半导体芯片（3）和引线（4），所述引线框架（2）包括环氧树脂封装体（1）外的散热区（7）、环氧树脂封装体（1）内的装片基岛（8）和引脚区（9），所述散热区（7）与装片基岛（8）连接，所述引脚区（9）包含第一管脚（91）、第二管脚（92）和第三管脚（93），所述第二管脚（92）位于第一管脚（91）和第三管脚（93）之间，所述第一管脚（91）顶端设有第一焊接区（911），所述第二管脚（92）与装片基岛（8）连接，所述第三管脚（93）顶端设有第二焊接区（931），且第三管脚（93）的管脚宽度大于第一管脚（91）和第二管脚（92）的管脚宽度；所述半导体芯片（3）的正面设有第一极（5）和第二极（6），背面设有第三极（10），所述半导体芯片（3）背面的第三极（10）焊接在引线框架（2）的装片基岛（8）上，所述第一极（5）通过引线（4）焊接在第一管脚（91）的第一焊接区（911）上，所述第二极（6）通过引线（4）焊接在第三管脚（93）的第二焊接区（931）上，所述第二管脚（92）通过引线框架（2）的装片基岛（8）与半导体芯片（3）背面的第三极（10）连接；所述环氧树脂封装体（1）内封装有半导体芯片（3）、引线（4）、装片基岛（8）、第一焊接区（911）、第二焊接区（931）和第三管脚（93）的顶端。
2.根据权利要求1所述的一种大电流功率半导体器件的封装结构，其特征是：所述第三管脚（93）顶部的第二焊接区（931）向第二管脚（92）方向横向延伸，所述第二管脚（92）顶部与引线框架（2）的装片基岛（8）连接区域向第一管脚（91）顶部的第一焊接区（911）方向扭转，第二焊接区（931）面积大于第一焊接区（911）面积。
3.根据权利要求1所述的一种大电流功率半导体器件的封装结构，其特征是：所述引线（4）为金属线或金属片，所述金属线为铜线、金线、铝线或合金线，所述金属片为铝带、铜带、铝镁合金带或镀锡铜带。
4.根据权利要求1所述的一种大电流功率半导体器件的封装结构，其特征是：所述的半导体芯片（3）为IGBT或MOSFET，所述IGBT的第一极（5）为栅极，第二极（6）为发射极，第三极（10）为集电极，所述MOSFET的第一极（5）为栅极，第二极（6）为源极，第三极（10）为漏极。
5.根据权利要求1所述的一种大电流功率半导体器件的封装结构，其特征是：所述半导体芯片（3）的封装形式为TO-263、TO-220、TO-247、TO-3P、TO-252或D3PAK，TO-263封装形式的第二管脚（92）的管脚根据工艺和应用的要求可部分切除。