一种高强度太阳能硅片的制作方法

本实用新型涉及硅片技术领域，具体为一种高强度太阳能硅片。

背景技术：

当今世界，常规能源的持续使用带来了能源紧缺以及环境恶化等一系列经济和社会问题，解决上述问题的最好途经是大力发展和推广可再生能源。在可再生能源中，太阳能发电由于地域性限制小、应用范围广、基本无污染、可持续利用率高等优点，成为世界各国竞相发展的目标。

目前，现有的各类太阳能电池中，晶体硅太阳电池占了90%的市场份额，其中单晶硅电池的转化效率超过18%，多晶硅电池转化效率也接近17%。尽管在实验室中小面积的晶体硅电池的最高转化效率接近25%，但由于其工艺与结构过于复杂，不利于规模化生产及应用。因此，在成本不太高，工艺不太复杂的前提下，各国都在从新的器件结构努力，开发效率更高的晶体硅类太阳电池及其产业化技术。但是在目前阶段，太阳能相关设备的成本还很高，可靠性和使用寿命等都不是很理想，因此怎样提高太阳能相关设备的可靠性、使用寿命等成为了研究热点。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种高强度太阳能硅片，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种高强度太阳能硅片，包括硅片单元，所述硅片单元均匀排列在硅晶基板上，所述硅晶基板设置在铝合金框上，所述硅片单元上方设有耐老化薄膜，所述耐老化薄膜下方设有吸光层，所述吸光层下方设有N型硅半导体，所述N型硅半导体下方设有P型硅半导体,所述N型硅半导体和P型硅半导体之间形成了一PN结，所述N型硅半导体的左侧接通上电极，所述P型硅半导体的右侧接通下电极，所述P型硅半导体下方设有防反射层。

优选的，所述防反射层下方设有保护膜。

优选的，所述硅片单元的表面设有栅格。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本高强度太阳能硅片，通过在硅片单元上设置耐老化薄膜提高了硅片的使用寿命，以及吸光层和防反射层的设置提高了硅片的光电转换强度。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图；

图2为本实用新型硅片单元结构示意图。

图中：1硅片单元、11上电极、12吸光层、13 N型硅半导体、14 PN结、15 P型硅半导体、16下电极、17保护膜、18防反射层、19耐老化薄膜、2硅晶基板、3铝合金框。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种高强度太阳能硅片，包括硅片单元1，所述硅片单元1均匀排列在硅晶基板2上，所述硅晶基板2设置在铝合金框3上，所述硅片单元1上方设有耐老化薄膜19，所述耐老化薄膜19下方设有吸光层12，所述吸光层12下方设有N型硅半导体13，所述N型硅半导体13下方设有P型硅半导体15,所述N型硅半导体13和P型硅半导体15之间形成了一PN结14，所述N型硅半导体13的左侧接通上电极11，所述P型硅半导体15的右侧接通下电极16，所述P型硅半导体15下方设有防反射层18，所述防反射层18下方设有保护膜17，所述硅片单元1的表面设有栅格。

工作原理：工作时，当太阳光照射到硅片单元1上，在PN结14中，N型硅半导体13的空穴往P型硅半导体15移动，而P型硅半导体15中的电子往N型硅半导体13移动，从而形成从N型硅半导体13到P型硅半导体15的电流。然后在PN结14中形成电势差，这就形成了电源。硅片单元1上设置耐老化薄膜19提高了硅片的使用寿命，以及吸光层12和防反射层18的设置提高了硅片的光电转换强度。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。