一种高介电常数栅介质‑金属栅极的IGBT的制作方法

技术特征：

1. 一种高介电常数栅介质-金属栅极的IGBT，其特征在于: 器件的栅极介质为铪硅氧氮化物(HfSiON)；HfSiON栅极介质和外延层之间有一层SiON界面层；器件的栅极为TaN金属栅极。