一种LED封装结构的制作方法

本实用新型涉及半导体器件，尤其是一种LED封装结构。

背景技术：

随着LED 技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展不断的发展，对散热的要求也越来越高，如若封装结构的散热不良将导致器件性能恶化、结构损坏、分层乃至烧毁。在环境温度和发热功率相同的时候，系统的总的热阻越高，芯片的温度就越高，器件的散热性能也就越差，为了使得LED器件具有良好的热特性，就必须对器件的整体机构进行优化，目前的封装结构依然存在散热性差，封装结构的总体热阻高的缺陷，上述问题亟需解决。

技术实现要素：

本实用新型在于提供一种LED封装结构，这种封装结构采用高散热的封装材料和封装结构解决了现有技术中存在的封装结构的散热性效率低的关键问题。

为实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种LED封装结构，包括密封层和散热装置，所述密封层和散热装置13中设置有基板，所述基板下侧设置有导热树脂层，所述密封层中间隔设置有LED芯片，所述LED芯片通过下端设置的固晶胶与所述基板相接触，所述固晶胶厚度为0.05~0.1mm。进一步地，所述基板包括第一金属层、绝缘层和第二金属层，所述绝缘层设置于第一金属层与绝缘层之间。进一步地，所述基板为陶瓷基板或金属复合基板。进一步地，所述固晶层厚度为0.08~0.1mm。进一步地，所述密封层材料为环氧树脂层或有机硅树脂层。进一步地，所述LED芯片为3~6个。进一步地，所述LED芯片之间为等间距排布。

本实用新型的LED封装结构，包括密封层和散热装置，还在它们中设置有基板，基板下侧设置有导热树脂层，密封层中间隔设置有LED芯片， LED芯片通过下端设置的固晶胶与所述基板相接触，所述固晶胶厚度为0.05~0.1mm，器件的温度与固晶胶厚度关系密切其厚度设置在此范围内有利于降低大功率的LED工作时候得温度，而且降低了此类材质的使用量，进一步降低了成本。基板也是三层结构，基板的热导率越高，热量的传导才会越快，在封装结构工作过程中芯片底部的温度变化幅度才会小，所以基板层为第一金属层、第二金属层和置于中间的绝缘层，其中优选陶瓷基板或者金属复合基板，两者的热导率较高。密封层材料优选为环氧树脂层或有机硅树脂层，其中有机硅树脂不仅导热能力强，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片为3~6个，等间距排布的模式有利于LED封装结构工作时候的散热。

附图说明

图1为本实用新型的LED封装结构的一个实施例的结构示意图；

图2为本实用新型的基板材结构的一个实施例的结构示意图；

附图标记说明：11-密封层,12-基板，13-散热装置,14-导热树脂层，111-LED芯片，112-固晶胶层，121-第一金属层， 122-绝缘层，123-第二金属层，散热装置13。

具体实施方式

为了进一步理解本实用新型，下面结合实施例对本实用新型优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本实用新型的特征和优点，而不是对本实用新型权利要求的限制。

本实用新型提供了一种LED封装结构，如图1~2所示，LED封装结构包括密封层11和散热装置13，密封层11和散热装置13中设置有基板12，基板12下侧设置有导热树脂层14，密封层11中间隔设置有LED芯片111，LED芯片111通过下端设置的固晶胶112与基板12相接触，所述固晶胶112厚度为0.05~0.1mm。此封装器件的热阻主要有两部分，LED芯片111到基板12的热阻和基板12到散热装置的热阻，本实用新型采用固晶胶焊接工艺代替传统的固晶胶粘接工艺，此时LED芯片111与基板12之间的连接不仅机械性能好而且导热性强，系统的总热阻变下，器件的散热性能也变好。固晶胶的厚度选择0.05~0.1mm，能使在热应力适当的情况下，LED芯片处于最佳温度。

基板12包括第一金属层121、绝缘层122和第二金属层123，绝缘层122设置于第一金属层121与绝缘层122之间。基板12优选为陶瓷基板或金属复合基板，陶瓷基板或金属复合基板两者的热导率较高，易于LED封装结构的散热。

固晶胶厚112度为0.08~0.1mm，密封层11材料为环氧树脂层或有机硅树脂层，有机硅树脂不仅导热能力强，而且耐老化性能好折射率高。LED芯片111为3~6个，LED芯片111之间为等间距排布，等间距排布的模式有利于LED封装结构工作时候的散热。

本实用新型与现有技术相比LED封装结构的总体热阻降低，散热性能改善。

以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以对本实用新型进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本实用新型权利要求的保护范围内。