技术总结
本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种高频率大功率沟槽MOS场效应管，其在沟槽MOS场效应管的单胞内进行开孔，使源极金属与沟槽内的场多晶硅充分接触，从而形成场板，提升耐压，简化工艺，结构简单，从而提升器件的可靠性以及器件的良率，引入更容易控制的沟槽内介质层开孔结构，可以同时获得低成本、工艺步骤简单、高性能和高可靠型的沟槽MOSFET器件。
技术研发人员：徐吉程;袁力鹏;范玮
受保护的技术使用者：西安后羿半导体科技有限公司
文档号码：201621163786
技术研发日：2016.11.01
技术公布日：2017.05.17