一种晶硅太阳电池正面电极结构的制作方法

本实用新型涉及晶硅太阳电池技术领域，尤其涉及为了解决方阻不均而设计的一种晶硅太阳电池正面电极结构。

背景技术：

太阳能光伏产业的迅速发展，随着浆料网版技术的不断发展，为了提高晶硅太阳电池的转换效率，都在追求高阻密栅。

晶体硅太阳电池是将太阳能转化成电能的半导体器件，器件的大小和正面栅线遮光面积直接决定最终的发电功率，为了获得更高的电池转换效率，需要扩散更高的方阻，配合更细的副栅线印刷，减少遮光面积，提高电流，从而提高晶硅太阳电池转换效率。

在进行扩散工艺的过程中，为了追求更高的方阻，方阻的均匀性就会受到影响，导致硅片由四周向中心区域方阻逐渐增大，如果采用传统的晶硅太阳电池正面电极设计，就不能达到高阻密栅的最佳效果，因此，有必要对晶硅太阳电池的正面电极进行改进。

本实用新型根据扩散方阻不均的情况，对晶硅太阳电池正面电极结构的网版图形进行优化设计，使高阻密栅达到最佳的效果。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的是提供一种晶硅太阳电池正面电极结构，从而解决方阻不均的问题，优化高阻密栅效果，进一步提高晶硅太阳电池的转换效率。

本实用新型提供如下技术方案：

一种晶硅太阳电池正面电极结构，包括设置在所述正面电极上的若干主栅线与若干副栅线，其中，所述主栅线相互平行设置，所述副栅线相互平行设置并垂直于所述主栅线，所述正面电极包含第一区域、第二区域及第三区域，所述第一区域包围所述第二区域，所述第二区域包围所述第三区域，设置在所述第一个区域，所述第二区域及所述第三区域的所述副栅线的间距不同。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，设置在所述第一个区域，所述第二区域及所述第三区域的所述副栅线的宽度不同。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述主栅线的数量为1至20条。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述主栅线的宽度为100至1500um。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述主栅线的长度为155至165mm。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述副栅线的数量为50至200根。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述副栅线的宽度为15至60um，

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述副栅线的长度为10至165mm。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，设置于所述第一区域的所述副栅线的间距为1.5至4mm，设置于所述第二区域的所述副栅线的间距为1.0至3.5mm，设置于所述第三区域的所述副栅线间距在0.5至3.0mm。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。

可选的，在上述的晶硅太阳电池正面电极结构中，所述晶硅太阳电池的基材为单晶硅或多晶硅。

本实用新型由于采用以上技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积极效果：

1.可以实现在不同区域设计不同副栅线宽度和间距，降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率。

2.可以实现在不同区域设计不同副栅线宽度和间距，缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的晶硅太阳电池正面电极结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的晶硅太阳电池正面电极结构的区域示意图；

图中：100－晶硅太阳电池、101－主栅线、102－副栅线、201－第一区域、202－第二区域、203－第三区域

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的晶硅太阳电池正面电极结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

请参阅图1及图2，本实施例公开了一种晶硅太阳电池100正面电极结构，包括设置在所述正面电极上的若干主栅线101与若干副栅线102，其中，所述主栅线101相互平行设置，所述副栅线102相互平行设置并垂直于所述主栅线101，所述正面电极包含第一区域201、第二区域202及第三区域203，所述第一区域201包围所述第二区域202，所述第二区域202包围所述第三区域203，设置在所述第一个区域201，所述第二区域202及所述第三区域203的所述副栅线102的间距不同。

在上述实施例中，设置在所述第一个区域201，所述第二区域202及所述第三区域203的所述副栅线102的宽度不同。

在上述实施例中，所述主栅线101的数量为1至20条。

在上述实施例中，所述主栅线101的宽度为100至1500um。

在上述实施例中，所述主栅线101的长度为155至165mm。

在上述实施例中，所述副栅线102的数量为50至200根。

在上述实施例中，所述副栅线102的宽度为15至60um，

在上述实施例中，所述副栅线102的长度为10至165mm。

在上述实施例中，设置于所述第一区域201的所述副栅线102的间距为1.5至4mm，设置于所述第二区域202的所述副栅线102的间距为1.0至3.5mm，设置于所述第三区域203的所述副栅线102间距在0.5至3.0mm。

在上述实施例中，所述晶硅太阳电池100的形状为正方片或四角带有圆弧的准方片，其中圆弧的直径大于200mm。

在上述实施例中，所述晶硅太阳电池100的基材为单晶硅或多晶硅。

上述方案可以实现在不同区域设计不同副栅线宽度和间距，降低遮光面积，提高电流，从而提高晶硅电池转换效率，此外缓解甚至消除由于扩散方阻不均导致效率偏低的现象。

上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。