晶片清洗甩干装置的制作方法

本实用新型涉及一种清洗甩干装置，尤其涉及一种晶片清洗甩干装置。

背景技术：

以砷化镓（GaAs）为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的电学性能，在卫星通讯、微波器件、激光器及发光二极管领域有着十分广泛的应用。异质结双极晶体管、高电子迁移率晶体管、LED等器件的制作需要再高质量的衬底表面用分子束外延或者有机金属化合物气相外延技术生长外延结构。随着半导体器件工艺制作的不断完善，器件尺寸越来越小，利用率也越来越高，半导体衬底的质量尤其是晶片表面的质量对器件的可靠性和稳定性影响也越来越大。

晶片清洗后甩干也是清洗步骤中很重要的一个环节，是获得高质量表面不可或缺的步骤。清洗后的晶片都会用去离子水进行冲洗然后甩干，如果晶片表面未被甩干，将会残留水迹在晶片表面，从而影响后续半导体器件的外延生长。随着半导体器件工艺的提升，对晶片的表面质量要求也越高，为提高利用率，现在要求晶片边缘部分都要有高质量的晶片表面，但是对于目前的甩干装置，由于承托柱与晶片接触，在接触部分周围，晶片表面的水迹不易甩干或者是承托柱上残留有水，可能会扩散到晶片上，从而影响晶片边缘的表面质量，在半导体制备外延工艺显现为白斑、水印等缺陷。

因此，有必要提供一种新型的清洗甩干装置解决上述问题。

技术实现要素：

本实用新型针对上述问题，提供了一种可有效避免晶片边缘水迹问题、提高晶片边缘的表面质量、提升晶片利用率的清洗甩干装置。

为实现前述目的，本实用新型采用如下技术方案：一种晶片清洗甩干装置，其包括一旋转盘、嵌入连接在旋转盘上的若干数量的承托柱、与旋转盘定位连接的一旋转杆、一旋转接头以及一传动装置；所述旋转盘包括一旋转盘体、与旋转盘体固定连接的一支撑件，旋转盘体上设有与承托柱相应的嵌入孔，旋转盘体底部中心设有一气体过渡室，旋转盘体内设有若干条气路通道，所述气路通道两端分别与嵌入孔底部、气体过渡室连接，所述支撑件为一空心柱；所述承托柱包括一立柱、固定在立柱上的一承托盘体，立柱底部设有一中心孔，立柱在与晶片接触点上设有一出气孔，所述出气孔与立柱中心孔连通；所述旋转杆底部设有一气路通道连通旋转杆两端，所述旋转杆的一端与旋转盘支撑件定位连接，另一端与旋转接头固定连接；所述旋转接头固定在操作平台上。

作为本实用新型的进一步改进，所述立柱出气孔由上向下倾斜至承托盘体表面。

作为本实用新型的进一步改进，所述嵌入孔以旋转盘体的轴心为轴心，所述嵌入孔在旋转盘体上呈环形均匀分布。

作为本实用新型的进一步改进，所述承托盘体上表面为一斜面。

作为本实用新型的进一步改进，所述支撑件可与旋转杆相配合。

作为本实用新型的进一步改进，所述承托柱嵌入嵌入孔的长度小于嵌入孔的深度。

作为本实用新型的进一步改进，所述支撑件和旋转杆侧面均开有定位孔，所述支撑件和旋转杆通过定位孔与螺栓配合连接。

作为本实用新型的进一步改进，所述传动装置为电机通过带动皮带轮，进一步带动旋转杆旋转。

作为本实用新型的进一步改进，所述旋转接头为单回路旋转接头。

作为本实用新型的进一步改进，所述旋转接头一端与旋转杆底部固定连接，所述旋转接头的另一端为连接座，所述连接座固定在操作平台上，气体从连接座底部进入。

本实用新型通过在装置内增加气路通道，使气体通过吹走晶片边缘与承托柱接触而残留的水或溶剂，有效解决晶片边缘液迹问题，提高晶片边缘的表面质量，提升晶片利用率。

附图说明

图1为本实用新型晶片清洗甩干装置实施例的示意图。

图2为本实用新型晶片清洗甩干装置实施例的A-A剖面图。

图3为本实用新型晶片清洗甩干装置实施例的旋转盘俯视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例对技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1至图3所示，一种晶片清洗甩干装置100，其包括一旋转盘2、嵌入连接在旋转盘2上的若干数量的承托柱1，与旋转盘2定位连接的一旋转杆3、一旋转接头4以及一传动装置5，本实施例中承托柱1的数量为6个。

旋转盘2包括一旋转盘体21、与旋转盘体21固定连接的一支撑件23；旋转盘体21设有与承托柱1相应的嵌入孔212，以旋转盘体21的轴心为轴心，嵌入孔212在旋转盘体21上呈环形均匀分布，旋转盘体21底部中心设有一气体过渡室213，旋转盘体21内设有若干条气路通道211，气路通道211两端分别与嵌入孔212底部、气体过渡室213连接，支撑件23为一空心柱，支撑件23侧面设有一定位孔24。

承托柱1包括一立柱11、一承托盘体12，立柱11底部设有一中心孔111，所述中心孔111与立柱11顶部未连通，立柱11在与晶片接触点上设有一出气孔112，所述出气孔112与立柱中心孔111连通，出气孔112由上向下倾斜至承托盘体12上表面，承托盘体12上表面为一斜面，用于承接晶片；承托盘体12为环状盘体，立柱11与承托盘体12为嵌入固定连接。

承托柱1嵌入嵌入孔212的长度小于嵌入孔212的深度，为气体留有通过的空间。

旋转杆3底部设有一气路通道31连通旋转杆3两端，旋转杆3一端侧面设有一定位孔32，旋转杆3一端通过螺栓与定位孔32、定位孔24的配合，定位连接支撑件23；旋转杆3另一末端设有2个固定孔33。

旋转接头4为单回路旋转接头，其一端设有2个固定孔42，旋转接头4通过螺钉与固定孔42、固定孔33的配合，固定连接旋转杆3；旋转接头4另一端为连接座41，固定在操作平台上，气体从连接座41的底部进入。

装置100的操作过程为：将4英寸的晶片放在承托柱1的承托盘体12上，因承托盘体表面121为斜面，晶片与承托盘体12的接触面较小，开启传动装置5，电机通过带动皮带轮51，进一步带动旋转杆3，在离心力的作用下晶片上的液滴被甩干，同时旋转接头连接座41处通入高纯惰性气体，气体通过中心孔31到达气体过渡室213，再通过气路通道211进入中心孔111，最后从出气孔112向下吹出，将立柱11、承托盘体12表面与晶片接触点上的残留液体吹走。

当清洗、甩干不同尺寸的晶片时，需用对应尺寸的旋转盘2，承托柱1的数量应以使晶片保持平衡为基础。

本实用新型通过在装置内增加气路通道，使气体通过吹走晶片边缘与承托柱接触而残留的水或溶剂，有效解决晶片边缘液迹问题，提高晶片边缘的表面质量，提升晶片利用率。

尽管为示例目的，已经公开了本实用新型的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本实用新型的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。