采用运算放大器的激光管驱动电路的制作方法

本发明涉及激光管驱动电路技术领域，具体地说，涉及一种采用运算放大器的激光管驱动电路。

背景技术：

激光测霾作为一种新型的雾霾检测技术，其相较于传统雾霾检测技术具备明显的优势，如精确度高、检测方便等。激光管作为激光测霾设备中的核心器件，其工作功率的稳定性对测霾的精度有着极其重要的影响。激光管在正常使用时均是由其驱动电路进行驱动的，现有的激光管驱动电路大多是采用2个三极管构成，从而导致激光管的实际输出功率较大的受到温度(三极管的温漂)和三极管性能的影响，这体现在当同一批次生产的三极管的一致性不好或环境温度不同时，会致使激光管的输出功率明显不同。

技术实现要素：

本发明的内容是提供一种采用运算放大器的激光管驱动电路，其能够克服现有技术的某种或某些缺陷。

根据本发明的采用运算放大器的激光管驱动电路，其包括激光管和第一运算放大器，激光管包括激光二极管和光敏二极管；激光二极管和光敏二极管同时接入一芯片工作电压，且激光二极管工作状态为正向导通状态，光敏二极管工作状态为反向截止状态；

第一运算放大器的反相端接入工作电压，第一运算放大器的输出端与激光二极管连接，第一运算放大器的同相端接地的同时还与光敏二极管连接；工作电压通过一第一电阻接入第一运算放大器的反相端，第一运算放大器的反相端与第一运算放大器的输出端间设有第一电容。

本发明的采用运算放大器的激光管驱动电路中，第一运算放大器的同相端能够与光敏二极管进行连接，由于光敏二极管能够将激光二极管的光强装换为电信号，从而使得第一运算放大器、光敏二极管和激光二极管间能够形成一个闭环控制，从而能够较佳的保证激光二极管的输出功率稳定。另外，由于运算放大器对温度的敏感性较低且受器件一致性的影响较低，因此能够较佳的保证激光二极管的实际输出功率不会较大的偏离设计输出功率。

作为优选，第一运算放大器的反相端通过第二电容接地的同时还通过第七电阻接地，第二电容的标值为104，第七电阻的阻值为100KΩ。从而使得第一运算放大器的反相端能够具备较佳的响应速度。

作为优选，第一运算放大器的同相端通过一第八电阻接地，第八电阻的阻值为1.5KΩ。

作为优选，第一电阻的阻值为10KΩ，第一电容的标值为221，芯片工作电压的大小为+3.3V。

作为优选，芯片工作电压的接入点处通过第三电容接地的同时还通过第四电容接地，第三电容的标值为106，第四电容的标值为104。

作为优选，激光二极管与一第五电容并联，第五电容的标值为103。

作为优选，第一运算放大器的同相端处还引出一激光管关闭接口，激光管关闭接口与第一运算放大器的同相端间设有第九电阻，第九电阻的阻值为10KΩ。从而使得通过在激光管关闭接口处施加高电平即可较佳对激光二极管进行关闭。

附图说明

图1为实施例1中的一种激光测霾领域用的自动校准光功率电路的示意图；

图2为实施例2中的激光管驱动电路的示意图。

具体实施方式

为进一步了解本发明的内容，结合附图和实施例对本发明作详细描述。应当理解的是，实施例仅仅是对本发明进行解释而并非限定。

实施例1

如图1所示，本实施例提供了一种激光测霾领域用的自动校准光功率电路，其包括激光管IC1和双运算放大器IC2，激光管IC1包括激光二极管LD和光敏二极管PD，双运算放大器IC2包括第一运算放大器110和第二运算放大器120；激光二极管LD和光敏二极管PD同时接入一芯片工作电压VDD，且激光二极管LD工作状态为正向导通状态，光敏二极管PD工作状态为反向截止状态；

第一运算放大器110的反相端接入工作电压Vi，第一运算放大器110的输出端与激光二极管LD连接，第一运算放大器110的同相端接地的同时还与光敏二极管PD连接；工作电压Vi通过一第一电阻R1接入第一运算放大器110的反相端，第一运算放大器110的反相端与第一运算放大器110的输出端间设有第一电容C1；

第二运算放大器120构造成用于检测激光二极管LD工作电流的差分放大电路，第一运算放大器110的输出端与激光二极管LD间串联一第二电阻R2；第二运算放大器120的反相端与第二电阻R2近第一运算放大器110输出端的一端连接，第二运算放大器120的同相端与第二电阻R2近激光二极管LD的一端连接，第二运算放大器120的输出端用于输出检测电流IAD，检测电流IAD用于对工作电压Vi进行反馈调节。

本实施例中，第二运算放大器120的反相端与第二电阻R2间串联一第三电阻R3，第三电阻R3的阻值为10KΩ；第二运算放大器120的同相端与第二电阻R2间串联一第四电阻R4，第四电阻R4的阻值为10KΩ；第二运算放大器120的反相端与第二运算放大器120的输出端间设有第五电阻R5，第五电阻R5的阻值为100KΩ；同时，第二运算放大器120的同相端还通过一第六电阻R6接地，第六电阻R6的阻值为100KΩ。

本实施例中，第一运算放大器110的反相端通过第二电容C2接地的同时还通过第七电阻R7接地，第二电容C2的标值为104，第七电阻R7的阻值为100KΩ。

本实施例中，第一运算放大器110的同相端通过一第八电阻R8接地，第八电阻R8的阻值为1.5KΩ。

本实施例中，第一电阻R1的阻值为10KΩ，第一电容C1的标值为221，芯片工作电压VDD的大小为+3.3V。

本实施例中，第二电阻R1的阻值为1Ω。

本实施例中，芯片工作电压VDD的接入点处通过第三电容C3接地的同时还通过第四电容C4接地，第三电容C3的标值为106，第四电容C4的标值为104。

本实施例中，激光二极管LD与一第五电容C5并联，第五电容C5的标值为103。

本实施例中，第一运算放大器110的同相端处还引出一激光管关闭接口OSET，激光管关闭接口OSET与第一运算放大器110的同相端间设有第九电阻R9，第九电阻R9的阻值为10KΩ。

本实施例中，双运算放大器IC2采用LMV358，LMV358的VCC端接入芯片工作电压VDD，LMV358的GND端接地。

实施例2

如图1所示，本实施例提供了一种激光管驱动电路，其与实施例1的区别在于：不对激光二极管LD工作电流进行检测，即不通过激光二极管LD的实际工作电流对激光二极管LD处的工作电压Vi进行反馈调节。

本实施例中，虽然不具有激光二极管LD实际工作电流与激光二极管LD工作电压Vi间的闭环调节，但是由于第一运算放大器110的采用且第一运算放大器110的输入端与输出端间具有光敏二极管PD参与的闭环控制系统，因此也会克服现有技术中由于采用三极管而导致激光二极管LD实际输出功率受温度和三极管性能影响较大的问题，并且激光二极管LD的实际输出功率能够具备较佳的稳定性。

本实施例中，第一运算放大器110能够为单独的一个运算放大器器件，也能够选用LMV358中的任一个运算放大器。

以上示意性的对本发明及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。