本实用新型属于半导体器件技术领域，具体涉及一种瞬态抑制电压二极管器件。
背景技术：
瞬态抑制二极管（TVS）是利用硅半导体材料制成的特殊功能的二极管，当TVS管两端经受瞬间的高能量冲击时，它能迅速开启，同时吸收浪涌电流，将其两端间的电压箝位在一个预定的数值上，从而确保后面精密的电子元器件免受瞬态高能量的冲击而损坏。
传统的TVS器件由于是单个结构成，在保证高浪涌能力的前提下，产品电压主要是靠材料片电阻率所决定，因此在制造过程中只能选择衬底硅片一个比较窄的范围。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种瞬态抑制电压二极管器件，可在相对宽的硅片电阻率范围内，在保证浪涌能力不变的前提下，实现相同的电压范围。
为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：
一种瞬态抑制电压二极管器件，包括N型衬底、第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层，N型衬底正面和背面的中央对称刻蚀有P-型反型层，P-型反型层上刻蚀有P+型浅结区，P+型浅结区的深度和宽度均不超过P-型反型层的深度和宽度，第一氧化层形成于N型衬底的表面并覆盖部分P-型反型层，第二氧化层形成于第一氧化层的表面，第三氧化层形成于P-型反型层的表面并覆盖部分P+型浅结区，P+型浅结区的表面刻蚀有金属化电极，金属化电极的宽度范围延伸至第二氧化层。
所述N型衬底的电阻率为0.01~0.5Ω·cm。
所述P+型浅结区的深度为5~10μm。
所述金属化电极为AL-Ti-Ni-Ag合金。
本实用新型的优点是：本实用新型采用P+P-N型结合三层氧化层的结构，在反向工作时现在P-N结上耐压，击穿后电流从P+区流出，通过P-区调节击穿电压值，并且通过P+区提高表面浓度，从而在相对宽的硅片电阻率范围内，在保证浪涌能力不变的前提下实现相同的电压范围。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
其中，1、N型衬底，2、P-型反型层，3、P+型浅结区，4、第一氧化层，5、第二氧化层，6、第三氧化层，7、金属化电极。
具体实施方式：
如图1所示，一种瞬态抑制电压二极管器件，包括N型衬底1、第一氧化层4、第二氧化层5和第三氧化层6，N型衬底1正面和背面的中央对称刻蚀有P-型反型层2，P-型反型层2上刻蚀有P+型浅结区3，P+型浅结区3的深度和宽度均不超过P-型反型层2的深度和宽度，第一氧化层4形成于N型衬底1的表面并覆盖部分P-型反型层2，第二氧化层5形成于第一氧化层4的表面，第三氧化层6形成于P-型反型层2的表面并覆盖部分P+型浅结区3，P+型浅结区3的表面刻蚀有金属化电极7，金属化电极7的宽度范围延伸至第二氧化层5。
在本实用新型中，N型衬底1的电阻率为0.01~0.5Ω·cm；P+型浅结区3的深度为5~10μm；金属化电极7为AL-Ti-Ni-Ag合金。P+P-N型结合三层氧化层的结构在反向工作时现在P-N结上耐压，击穿后电流从P+区流出，通过P-区调节击穿电压值，并且通过P+区提高表面浓度，第一氧化层4和第二氧化层5能够降低P-N结表面漏电流，提高产品可靠性，第三氧化层6能阻挡金属化电极7与P-型反型层2连接，从而在相对宽的硅片电阻率范围内，在保证浪涌能力不变的前提下实现相同的电压范围。