一种大功率抗震动方片TVS芯片的制作方法

本实用新型涉及芯片技术领域，具体是一种一种大功率抗震动方片TVS芯片。

背景技术：

由于台面结构芯片终端沟槽腐蚀后，芯片四个角部分硅片层变薄（通常小于150微米），在后道封装过程中极易因受到机械冲击发生崩塌损伤，从而造成芯片电性能变坏，器件工作过程出现失效现象。

技术实现要素：

为解决上述问题，本实用新型提供一种大功率抗震动方片TVS芯片，抗机械冲击能力增加，避免了传统芯片失效现象，工作可靠性提高。

本实用新型采用的技术方案是：一种大功率抗震动方片TVS芯片，包括N-单晶硅，所述N-单晶硅的两侧由内向外依次设有P硼区、P+浓硼区和金属层，所述P硼区和P+浓硼区的终端设有经过倒角处理的终端保护区。

所述金属层是镍层或铝钛镍银合金层，所述终端保护区为玻璃或SIPOS+玻璃。

本实用新型的有益效果是：采用芯片终端倒角处理后，芯片抗机械冲击能力增加，避免了传统芯片失效现象，工作可靠性提高，特别适合汽车等震动频繁的 控制电路工作环境。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2是图1的剖面图；

其中：1、N-单晶硅，2、P硼区，3、P+浓硼区，4、金属层，5、终端保护区。

具体实施方式

为了加深对本实用新型的理解，下面将结合实施例和附图对本实用新型的作进一步详述，该实施例仅用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的保护范围的限定。

如图1和2所示，一种大功率抗震动方片TVS芯片，包括N-单晶硅1，N-单晶硅的两侧由内向外依次设有P硼区2、P+浓硼区3和金属层4， P硼区和P+浓硼区的终端设有经过倒角处理的终端保护区5，其中，金属层4是镍层或铝钛镍银合金层，终端保护区5为玻璃或SIPOS+玻璃。

上述芯片的终端倒角处理方法如下：

1) 根据芯片尺寸数据导入计算机控制程序，通过紫外激光切割方法对方片TVS芯片四个直角进行倒角；

2) 通过半导体光刻工艺形成倒角图案，再用化学腐蚀方法成型。