III‑V族元素的氧化物的去除液及去除方法、III‑V族元素的化合物的处理液、III‑V族元素的抗氧化液、以及半导体基板的处理液及半导体基板产品的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种含有酸与巯基化合物的III‑V族元素的氧化物的去除液、抗氧化液或处理液及使用这些的方法、以及含有酸与巯基化合物的半导体基板的处理液及使用该处理液的半导体基板产品的制造方法。

技术研发人员：高桥智美;朴星戊;水谷笃史;稻叶正
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
技术研发日：2016.02.04
技术公布日：2017.09.26