技术特征：
技术总结
半导体结构包括基板，基板具有冷却层、冷却通道、与冷却通道流体连通的冷却剂入口和出口，以及具有一个或多个连接点和器件层区域的冷却层上的器件层。器件层的热膨胀系数基本上等于冷却层的热膨胀系数。多个层压基板设置在器件层上并电气附接到器件层。叠压基板的热膨胀系数与器件层的热膨胀系数不同，每个层压基板小于其所附接的器件层部分，且每个层压基板包括相邻层压基板的侧面之间的间隙。层压基板在层压基板之间的间隙上不彼此电气或机械地连接，且层压基板足够小以防止由于热膨胀而导致的器件层、互连层和冷却层的翘曲和不可接受的应力。
技术研发人员：E.G.科尔根;M.M.丹内奥;J.尼克博克
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：2016.02.15
技术公布日：2017.10.13