1.一种带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，其特征在于：包括集成在同一芯片上的SONOS器件、NPN BJT热传感器和射频LDMOS器件；所述SONOS器件栅极存储有正电荷；SONOS器件栅极通过金属连接至NPN BJT热传感器基极，为NPN BJT热传感器的发射结提供偏置；NPN BJT热传感器的集电极接在LDMOS栅极上，为LDMOS栅极提供电流泄放通道。
2.根据权利要1所述的带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，其特征在于：所述SONOS器件包括：P型重掺杂衬底(1)、P型外延层(2)、SONOS器件金属sinker(141)、第一P阱(41)、SONOS器件P型重掺杂接触区(131)、SONOS器件N型重掺杂源极(121)、SONOS器件N型重掺杂漏极(122)、SONOS器件第一层二氧化硅电荷阻挡层(51)、SONOS器件氮化硅电荷储存层(6)、SONOS器件第二层二氧化硅电荷阻挡层(7)、SONOS器件多晶硅栅极(82)、二氧化硅介质层(10)、SONOS器件源极金属(151)、SONOS器件漏极金属(20)；所述P型外延层(2)位于P型重掺杂衬底(1)上方，第一P阱(41)位于P型外延层(2)中，SONOS器件金属sinker(141)位于第一P阱(41)左侧，SONOS器件P型重掺杂接触区(131)位于第一P阱(41)内部左侧，SONOS器件N型重掺杂源极(121)位于第一P阱(41)内部与SONOS器件P型重掺杂接触区(131)紧邻且位于SONOS器件P型重掺杂接触区(131)的右侧，SONOS器件N型重掺杂漏极(122)位于第一P阱(41)内部SONOS器件N型重掺杂源极(121)的右侧；SONOS器件第一层二氧化硅电荷阻挡层(51)位于第一P阱(41)上方且从SONOS器件N型重掺杂源极(121)右边缘延伸到SONOS器件N型重掺杂漏极(122)左边缘；SONOS器件氮化硅电荷储存层(6)位于SONOS器件第一层二氧化硅电荷阻挡层(51)上方；SONOS器件第二层二氧化硅电荷阻挡层(7)位于SONOS器件氮化硅电荷储存层(6)上方；SONOS器件多晶硅栅极(82)位于SONOS器件第二层二氧化硅电荷阻挡层(7)上方；二氧化硅介质层(10)位于SONOS器件表面；SONOS器件源极金属(151)从SONOS器件金属sinker(141)左侧边缘上方延伸到SONOS器件N型重掺杂源极(121)左侧上方；SONOS器件漏极金属(20)位于SONOS器件N型重掺杂漏极(122)的上方。
3.根据权利要求1所述的带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，其特征在于：所述NPN BJT热传感器包括：P型重掺杂衬底(1)、P型外延层(2)、第一N阱(31)、第二P阱(42)、NPN型BJT传感器N型重掺杂集电极接触区(123)、NPN型BJT传感器P型重掺杂基区接触区(132)、NPN型BJT传感器N型重掺杂发射极接触区(124)、NPN型BJT集电极金属(16)、NPN型BJT基极金属(17)、NPN型BJT发射极金属(18)；P型外延层(2)位于P型重掺杂衬底(1)上方；第一N阱(31)位于P型外延层(2)中，第二P阱(42)位于第一N阱(31)内部中间位置；NPN型BJT传感器N型重掺杂集电极接触区(123)位于第一N阱(31)内部、第二P阱(42)的左右两侧；NPN型BJT传感器N型重掺杂发射极接触区(124)位于第二P阱(42)内部中间位置；NPN型BJT传感器P型重掺杂基区接触区(132)位于第二P阱(42)内部、NPN型BJT传感器N型重掺杂发射极接触区(124)的左右两侧；NPN型BJT集电极金属(16)位于NPN型BJT传感器N型重掺杂集电极接触区(123)上方；NPN型BJT基极金属(17)位于NPN型BJT传感器P型重掺杂基区接触区(132)上方；NPN型BJT发射极金属(18)位于NPN型BJT传感器N型重掺杂发射极接触区(124)上方。
4.根据权利要求1所述的带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，其特征在于：所述射频LDMOS器件包括：背面金属电极(21)、P型重掺杂衬底(1)、P型外延层(2)、LDMOS器件金属sinker(142)、第二N阱(32)、第三P阱(43)、LDMOS器件N型重掺杂源极接触区(125)、LDMOS器件P型重掺杂接触区(133)、P型top层(9)、LDMOS器件N型重掺杂漏极(126)、LDMOS多晶硅栅极(81)、LDMOS器件二氧化硅栅氧层(52)、金属法拉第罩(11)、二氧化硅介质层(10)、LDMOS器件源极金属(152)、LDMOS器件漏极金属(19)；P型外延层(2)位于P型重掺杂衬底(1)上方；所述第三P阱(43)位于P型外延层(2)中；第三P阱(43)紧邻于第二N阱(32)的左侧；LDMOS器件金属sinker(142)位于第三P阱(43)左侧，LDMOS器件P型重掺杂接触区(133)和LDMOS器件N型重掺杂源极接触区(125)位于第三P阱(43)内部左侧，LDMOS器件P型重掺杂接触区(133)紧邻LDMOS器件N型重掺杂源极接触区(125)的左侧，LDMOS多晶硅栅极(81)位于第三P阱(43)右部上方，且LDMOS多晶硅栅极(81)从LDMOS器件N型重掺杂源极接触区(125)的右侧边缘延伸到第三P阱(43)右侧边缘；LDMOS器件二氧化硅栅氧层(52)位于LDMOS多晶硅栅极(81)与第三P阱(43)之间；LDMOS器件N型重掺杂漏极(126)位于第二N阱(32)内部最右侧，P型top层(9)位于第二N阱(32)内部、LDMOS器件N型重掺杂漏极(126)的左侧；金属场板构成的法拉第罩(11)从LDMOS多晶硅栅极(81)右侧上方延伸到P型top层(9)左侧上方，金属法拉第罩(11)与LDMOS多晶硅栅极(81)、第二N阱(32)和P型top层(9)之间均存在二氧化硅介质层(10)；LDMOS器件源极金属(152)从LDMOS器件金属sinker(142)上方延伸到LDMOS器件N型重掺杂源极接触区(125)左侧上方，LDMOS器件漏极金属(19)位于LDMOS器件N型重掺杂漏极(126)上方。
5.根据权利要求2所述的带有过热保护功能的射频LDMOS晶体管，其特征在于：SONOS器件源极金属(151)和SONOS器件漏极金属(20)通过金属连接线和SONOS器件金属sinker(141)连接到背面金属电极(21)；SONOS器件多晶硅栅极(82)加压在SONOS器件氮化硅电荷储存层(6)中储存有电荷之后，通过金属连接线将SONOS器件多晶硅栅极(82)连接到NPN型BJT基极金属(17)，NPN型BJT集电极金属(16)通过金属连接线连接到LDMOS多晶硅栅极(81)，NPN型BJT发射极金属(18)通过金属连接线连接到LDMOS器件源极金属(152)，LDMOS器件源极金属(152)通过LDMOS器件金属sinker(142)连接到背面金属电极(21)；SONOS器件源极金属(151)通过SONOS器件金属sinker(141)连接到背面金属电极(21)。