本发明属于半导体电子器件制造技术领域，具体涉及一种在衬底片分区上进行异质外延的方法。
背景技术：
对于大面积的衬底晶圆片，如果在其上生长异质外延薄膜，由于外延成核的过程是随机性的，是由一定的核心区原子向外进行延伸式的生长，当两片外延区域相碰撞时，因各自与下方的衬底存在着晶格失配，并且彼此之间也可能存在晶向等方面的不一致等原因，可能导致异质外延工艺的失效。当衬底片面积比较小时，这种现象尚不明显，然而如果衬底片面积较大，要求大面积生长以及在大面积上得到生长良好的异质外延层薄膜，目前的技术就不能保证生长的外延薄膜质量了。
现有技术在大面积生长情形下，无法完全抑制各种工艺缺陷，特别是不同材料间的晶格适配误差。当这种晶格失配不断累积，达到一定程度后，就会显性影响所生长的外延薄膜的质量，即，在薄层中产生大密度的缺陷。如上所述，当局部产生的缺陷随着外延生长过程而向外部扩散时，在不同区域的边界处，将存在较大和较严重的缺陷，严重时外延层薄膜会由于所积累的内部应力而开裂，造成工艺的完全失效。
本发明针对现有技术的上述缺陷，提出分区外延的方式，将实际的外延生长限制在各个小面积的分区之内进行。不仅使小面积分区部分的外延层可以良好生长，更可以避免各种失配因素的积累，并且通过分区的边沿来阻断缺陷区的外扩，从而在大尺寸晶圆片衬底上，形成完美质量的异质外延层薄膜。
技术实现要素：
本发明的技术方案如下，一种在衬底片分区上进行异质外延的方法，包括以下步骤：
(1)在大尺寸晶圆片上，通过设置切割槽，对晶圆片表面进行分区，所述切割槽的宽度0.1～500μm，深度0.1～100μm，所述各个分区的面积为1mm2-2500mm2；
(2)在已经分区的晶圆片表面进行异质材料的外延薄膜生长。
进一步，所述步骤(1)中的大尺寸晶圆片，其直径≥4英寸(10mm)。
进一步，所述步骤(1)中的切割槽是通过光刻或刻蚀工艺形成的。
进一步，所述步骤(1)中的切割槽是等距和均匀分布的。
进一步，所述步骤(1)中的切割槽通过氧化或沉积工艺，形成氧化硅或氮化硅的外延生长阻挡层，防止外延优先从切割槽中开始生长，致使小分区中正常的薄膜生长受到干扰。
进一步，所述步骤(2)中在高温和真空环境下进行气相外延薄膜生长。
进一步，所述步骤(2)中将异质材料外延生长分步进行，在各步骤之间，插入激光退火或快速光退火的工艺，对于已生长的异质外延薄膜进行修整，由此使生长过程中不产生并且不累积工艺缺陷。
进一步，所述激光退火使用激光束从晶圆片的一侧向另一侧缓慢扫描，将异质外延薄膜中存在的缺陷驱赶至分区边缘的切割槽。
本发明与现有技术相比，具有的有益效果为：
通过在大尺寸晶圆片的表面设置切割槽，以及在切割槽中生长外延阻挡材料等辅助性措施，可以将实际的异质外延层材料的生长限制在小的局部分区中进行，避免各种工艺缺陷因素的不断积累。即使在某分区出现了外延薄膜质量缺陷，也能够通过片上的切割槽进行限制，不使缺陷向其他分区扩散，由此可以在大面积晶圆片上生长出所需高质量的异质外延薄膜。
附图说明
图1是本发明在衬底片上进行分区后的结构示意图。
图中1-晶圆片上的切割槽，2-准备进行异质外延的小面积分区。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明进一步详细说明。
实施例1
对于大尺寸的晶圆片衬底，利用光刻、刻蚀等工艺步骤，在其上制作出宽度为100μm，深度为10μm的切割槽,分区的面积为400mm2，这些切割槽将大面积的晶圆片表面进行分区，各个分区的面积为4cm2。采用减压外延的方法，在各分区表面进行异质外延薄膜的生长。
本实施例能够实现本发明所述方法的基本功能，提供一种在大面积晶圆片上生长良好的异质外延薄膜。
实施例2
制作切割槽和实施异质外延生长的过程同实施例1。不同之处在于，在切割槽制作完成后，在实施外延生长之前，通过氧化、沉积等工艺步骤，在切割槽中形成氧化硅，氮化硅等外延生长的阻挡层，以防止外延优先地从切割槽中开始生长出来。
本实施例在前例基础上增加了阻挡层沉积的工艺步骤，可以防止外延优先地从切割槽中开始生长出来，干扰正常的小分区中的薄膜生长。
实施例3
各工艺步骤同实施例2，但是外延生长的步骤分成两步实施，在两步之间插入激光退火的处理。这里的激光退火，是将一定能量的激光整形成线形的束斑，然后用该条激光线，从晶圆片的一侧向另一侧缓慢扫描。如果第一步外延所形成的异质外延薄膜中存在缺陷，则由于激光线条的扫描动作，该缺陷将被驱赶到本分区边缘的切割槽，在那里被截断，由此对第一步外延的异质薄膜进行了修复。第二步外延，在修复后的薄膜表面继续进行。
本实施例采用了及时修复的工艺，使晶圆片表面的原子排序得以维持。尽管增加了处理步骤，但是总体外延层的生长质量最终得到更好的保障。
以上，仅为本发明的较佳实施例，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员可以对本发明的技术环节予以变通，应用于相类似的场合，例如同质外延的场合。本发明的保护范围以权利要求所界定的保护范围为准。