技术总结
一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层，避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤，提高良品率和同质外延质量。
技术研发人员：汪青;刘丹丹;张国义;梁文林
受保护的技术使用者：东莞市中镓半导体科技有限公司
文档号码：201710018987
技术研发日：2017.01.11
技术公布日：2017.05.03