本发明涉及一种电阻材料，特别是涉及一种抗静电热敏碳膜电阻。
背景技术：
碳膜电阻器是膜式电阻中的一种。它是采用高温真空镀膜技术将碳紧密附在瓷棒表面形成碳膜，然后加适当接头切割，并在其表面涂上环氧树脂密封保护而成的。其表面常涂以绿色保护漆。碳膜的厚度决定阻值的大小，通常用控制膜的厚度和刻槽来控制电阻器。
PA6 是聚酰胺家族中产量最大、用途最广泛的品种之一, 是优良的工程塑料。它具有耐磨、自润滑、耐冲击等诸多优良性能 , 广泛应用于汽车、机械、电子等领域。近年来,随着塑料应用领域的不断扩大, 对塑料材料性能的要求也日趋多元化 。阻燃、抗静电PA6的研制就是为了开发聚酰胺材料在电子电器、煤矿、纺织等方面的应用。在这些场合由于摩擦、挤压等原因很容易使塑料表面积累电荷而产生静电, 从而引起静电放电, 造成爆炸、火灾。所以 , 在这些领域必须使用阻燃、抗静电塑料制品。
技术实现要素：
为了解决现有技术中的问题，本发明提供了一种具有良好性能的抗静电热敏碳膜电阻。
为了解决上述问题，本发明所采取的技术方案是：
一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：包括如下组分及重量份数：
25～32石墨；
10～15PA6；
7～15增韧剂；
4～5抗静电剂；
30～40Co2O3；
12～18阻燃剂；
30～40Mn2O3；
1～5Ni2O3；
3～11Al2O3；
30～50MgO；
1～2SiO2。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述PA6树脂粘度为2.8～3.2。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述的抗静电剂是以聚酰胺和聚醚受阻胺为基础合成的永久抗静电剂。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述增韧剂为马来酸酐接枝POE。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述石墨为27份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述PA6为12份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Mn2O3为35份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Co2O3为35份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述MgO为40份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Ni2O3为3份。
本发明所达到的有益效果：本发明抗静电热敏碳膜电阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合：可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升，采用矿物增强改性尼龙的方法，用通用的塑料加工设备双螺杆挤出机，采用适宜的工艺条件，制备适用于电子电器的材料。本发明的产品力学性能优异，尤其在冲击强度上面比一般的阻燃增强PA6 材料表现优异；不仅能够满足美国UL94V0的要求，而且在抗静电方面持久稳定；此外，该产品在耐漏电起痕方面克服了一般阻燃抗静电PA6 无法满足的要求，完全可以满足客户对产品制件安全性的严格要求。
具体实施方式
以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案，而不能以此来限制本发明的保护范围。
一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：包括如下组分及重量份数：
27份石墨；
12份PA6；
10份增韧剂；
3.5份抗静电剂；
35份Co2O3；
15份阻燃剂；
35份Mn2O3；
3份Ni2O3；
8份Al2O3；
40份MgO；
1.5份SiO2。
所述PA6树脂粘度为2.8～3.2。所述的抗静电剂是以聚酰胺和聚醚受阻胺为基础合成的永久抗静电剂。所述增韧剂为马来酸酐接枝POE。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述石墨为27份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述PA6为12份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Mn2O3为35份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Co2O3为35份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述MgO为40份。
前述的一种抗静电热敏碳膜电阻，其特征在于：所述Ni2O3为3份。
综上所述：本发明抗静电热敏碳膜电阻，采用此配方能做到高阻值、低B值之配方组合：可在较宽温度范围内使用，即可在高、低温时同时使用；电性能、机械性能及可靠性方面的性能均有明显的提升，采用矿物增强改性尼龙的方法，用通用的塑料加工设备双螺杆挤出机，采用适宜的工艺条件，制备适用于电子电器的材料。本发明的产品力学性能优异，尤其在冲击强度上面比一般的阻燃增强PA6 材料表现优异；不仅能够满足美国UL94V0的要求，而且在抗静电方面持久稳定；此外，该产品在耐漏电起痕方面克服了一般阻燃抗静电PA6 无法满足的要求，完全可以满足客户对产品制件安全性的严格要求。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。