技术总结
本发明公开了一种背面镀膜处理的太阳能电池制备工艺，以单晶硅片为原料，在依次通过碱腐蚀致绒、清洗烘干、三氯氧磷扩散、磷玻璃去除与绝缘、热退火后对单晶硅片依次采用如下步骤的处理：(1)在单晶硅材的背面镀一层氧化铝薄膜，薄膜厚度为50‑100um；(2)在氧化铝薄膜的基础上进一步镀一层氮化硅薄膜，薄膜厚度为50‑100um；(3)再在单晶硅片的正面镀一层120‑150um蓝色抗反射薄膜后，接着对单晶硅片背面的氧化铝薄膜、氮化硅薄膜激光开槽，槽深为氧化铝薄膜、氮化硅薄膜的厚度之和；(4)在单晶硅材背面氮化硅薄膜的表面上进行背电极印刷，印刷烘干后进行背电场印刷、烘干；(5)在蓝色抗反射薄膜的基础上依次进行正电极印刷、烘干、烧结后即得到太阳能电池。
技术研发人员：张冠纶;曹韵国;常青;孙纤
受保护的技术使用者：通威太阳能（成都）有限公司
文档号码：201710054179
技术研发日：2017.01.22
技术公布日：2017.05.31