一种高光效光源组件及其制备方法与流程

技术特征：

1.一种高光效光源组件，其特征在于：自上而下依次包括硅胶层、荧光粉层、LED芯片层、银浆线路层和基板，其中所述基板内部设有多个用于散热的导流孔，所述荧光粉层采用高光效荧光粉制备而成。

2.如权利要求1所述的高光效光源组件，其特征在于：所述高光效荧光粉含式(I)化合物：

M¹_yM²₅O_zC_x：M³_w……………………………………(I)

其中，2.25≦x≦3.75，2.7≦y≦3，0.01＜w≦0.3，且4.5≦z≦7.5；

M¹选自下组：Sc³⁺、Y³⁺、La³⁺、Sm³⁺、Gd³⁺、Tb³⁺、Pm³⁺、Er³⁺、Lu³⁺、及其组合；

M²选自下组：Al³⁺、In³⁺、Ga³⁺、及其组合；及

M³选自下组：Tm³⁺、Bi³⁺、Tb³⁺、Ce³⁺、Eu³⁺、Mn³⁺、Er³⁺、Yb³⁺、Ho³⁺、Gd³⁺、Pr³⁺、Dy³⁺、Nd³⁺、及其组合。

3.如权利要求1或2所述的高光效光源组件，其特征在于：所述高光效荧光粉为Y_2.98Al₅O_7.5C_2.25：Tm_0.02、Y_2.95Al₅O₆C₃：Bi_0.05、Y_2.94Al₅O₆C₃：Tb_0.06、Y_2.95Al₅O_7.5C_2.25：Ce_0.05、Y_2.95Al₅O₆C₃：Ce_0.05、Y_2.95Al₅O_4.5C_3.75：Ce_0.05、Y_2.95Al₅O₆C₃：Mn_0.05、Y_2.75GaAl₄O₆C₃：Mn_0.25、Y_2.94Al₅O_4.5C_3.75：Bi_0.06、Y_2.94Al₅O_4.5C_3.75：Tm_0.06、Y_2.94Al₅O_4.5C_3.75：Ce_0.04Tb_0.02、Y_2.95Al₅O_4.5C_3.75：Mn_0.05、Y_2.95Ga₅O_4.5C_3.75：Mn_0.05、Y_2.94Al₅O₆C₃：Bi_0.06、Y_2.94Al₅O₆C₃：Mn_0.06、Y_2.94Al₅O₆C₃：Ce_0.06、Lu_1.72Gd_1.2Al₅O₆C₃：Ce_0.05Pr_0.03、Lu_1.72Er₁Ga₅O_4.5C_3.75：Mn_0.25Dy_0.03、Lu_1.92Sc₁Al₅O₆C₃：Ce_0.05Yb_0.03、Sm_1.92La₁Al₅O₆C₃：Ce_0.05Ho_0.03、Y_2.32Gd_0.6In₁Al₄O₆C₃：Ce_0.05Nd_0.03、或Lu_1.95Pm₁Al₅O₆C₃：Ce_0.05。

4.如权利要求1-3任一所述的高光效光源组件，其特征在于：所述基板为陶瓷基板。

5.一种基于权利要求1-4任一所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：将高导热陶瓷材料经过挤压机或者成型模具形成基板，该基板内部设有多个用于散热的导流孔；

S2：对基板进行微波固形；

S3：对固形后的基板进行预热处理和烘烤处理；

S4：在基板上印刷导电银浆，形成银浆线路层；

S5：利用固晶机将一个或者多个LED芯片固定在银浆线路层上，形成LED芯片层；

S6：在LED芯片层上印刷高光效荧光粉，形成荧光粉层；

S7：将硅胶固定在荧光粉层上，形成硅胶层。

6.如权利要求5所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：

将基板放入工业微波炉中，以2455MHZ的频率进行固形，3分钟后取出。

7.如权利要求5或6所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S3具体包括：

将固形后的基板放入烘箱中，将温度设置为200℃，预热8h后取出，放入高温烘箱中；

将高温烘箱温度设置为1600℃，烘烤5h后取出。

8.如权利要求5-7任一所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：

通过电路板印刷机在基板上印刷导电银浆，形成银浆线路层；

放入烘箱中，将温度设置在130℃-150℃之间，烘烤20-30min后取出。

9.如权利要求5-8任一所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S6具体包括：

采用全自动荧光粉涂布机在LED芯片层上印刷高光效荧光粉，形成荧光粉层；

将其放入烘箱中，将温度设置在145℃-155℃之间，烘烤25-30min后取出。

10.如权利要求5-9任一所述的高光效光源组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S7具体包括：

利用全自动点胶机将硅胶固定在荧光粉层上，形成硅胶层；

将其放置于烘箱中，将温度设置为50℃，60min后取出。