技术总结
本发明公开一种发光二极管外延生长方法，包括：处理蓝宝石衬底、生长低温缓冲层GaN、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长ZnInGaN/MgAlN/SiInAlN超晶格层、生长InxGa(1‑x)N/GaN发光层、生长P型AlGaN层、生长掺镁的P型GaN层、降温冷却得到发光二极管。本发明提升了LED的发光效率。
技术研发人员：徐平
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201710117410
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2017.06.23