技术特征：
技术总结
本发明为一种覆晶式LED导热构造，包括一导热用的金属基板以及一覆晶式LED(Flip‑Chip LED)，其中该金属基板上贴合有一层绝缘膜，该绝缘膜上设有铜箔线路以及一窗口，且该金属基板上延伸有至少一共晶焊接部裸露于该窗口，以供覆晶式LED相对应的导热焊盘或利用负极焊盘共晶焊接于该至少一共晶焊接部上以兼具共晶结合导热路径，使覆晶式LED运作时的废热可以在极小的空间里，通过上述共晶焊接所形成的导热路径，快速地将废热导出到外部散热；此外，铜箔线路以不造成短路为原则尽量扩大面积，进而补偿铜箔线路与金属基板之间绝缘膜热传导界面阻碍(Boundary Barrier)的问题。
技术研发人员：叶玱郎
受保护的技术使用者：叶玱郎
技术研发日：2017.03.24
技术公布日：2018.10.09