1.一种基于SOI混合集成热不敏感激光器结构，其特征在于，包括SOI衬底、三五族有源层波导、负折射率温度系数的聚合物波导、第一硅波导和第二硅波导，所述三五族有源层波导、负折射率温度系数的聚合物波导、第一硅波导和第二硅波导位于所述SOI衬底上，具体的：
位于所述三五族有源层波导与所述第一硅波导的耦合段之间，其相邻的侧面保持平行；所述三五族有源层波导与所述第一硅波导位于耦合段上，且相对于耦合侧面的另一面包含斜面；所述斜面呈现为从各波导耦合段上的预设区域向端口切削的结构；
所述第一硅波导的出光口与所述聚合物波导的进光口耦合；所述聚合物波导的出光口与所述第二硅波导的进光口耦合。
2.根据权利要求1所述的混合集成热不敏感激光器结构，其特征在于，所述第一硅波导的出光口为锥形，所述聚合物波导以曝光套刻的方式制作，并且所述聚合物波导的进光口套接在所述第一硅波导的锥形出光口上。
3.根据权利要求1或2所述的混合集成热不敏感激光器结构，其特征在于，所述第二硅波导的进光口为锥形，所述聚合物波导以曝光套刻的方式制作，并且所述聚合物波导的进光口套接在所述第二硅波导的锥形进光口上。
4.根据权利要求1所述的混合集成热不敏感激光器结构，其特征在于，所述三五族有源层波导bonding在SOI衬底上。
5.根据权利要求1所述的异质结热不敏感激光器结构，其特征在于，所述三五族有源层波导的长度L和折射率n，以及聚合物波导的长度Ls和折射率ns，由上述四个参数以及各参数相对于温度的变化系数，构成三五族有源层波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子；
根据所述三五族有源层波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子之和为零，在确定所述折射率n和折射率ns对于温度的变化系数后，得到所述三五族有源层波导的长度L和聚合物波导的长度Ls的长度比例；
依据所述长度比例制作所述三五族有源层波导和/或聚合物波导。
6.一种基于SOI的混合集成热不敏感激光器的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
通过光刻在所述SOI衬底上制作第一硅波导和第二硅波导图形，其中，所述第一硅波导图形的出光口和第二硅波导的进光口分别被制作成锥形；并且，所述第一硅波导的进光口被制作成楔形；
将三五族有源层波导bonding在所述SOI衬底的预设位置，使得所述三五族有源层波导的出光口和所述硅波导的进光口完成耦合；在所述第一硅波导的出光口侧和第二硅波导的进光口侧套刻聚合物波导，其中，所述聚合物波导的进光口覆盖在所述第一硅波导的出光口的锥形图形之上，所述聚合物波导的出光口覆盖在所述第二硅波导的进光口的锥形图形之上。
7.根据权利要求6所述的混合集成热不敏感激光器的制作方法，其特征在于，所述三五族有源层波导的长度L和折射率n，以及聚合物波导的长度Ls和折射率ns，由上述四个参数以及各参数相对于温度的变化系数，构成三五族有源层波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子；
根据所述三五族有源层波导的等效波长波动因子和聚合物波导的等效波长波动因子之和为零，在确定所述折射率n和折射率ns对于温度的变化系数后，得到所述三五族有源层波导的长度L和聚合物波导的长度Ls的长度比例；
依据所述长度比例制作所述三五族有源层波导和/或聚合物波导。