1.一种三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
1)提供一基板，于所述基板表面形成第一绝缘层和第一导电层交替叠置的第一叠层结构，其中，所述第一绝缘层形成于所述基板表面；
2)于所述第一叠层结构的至少一侧形成与所述第一叠层结构平行间隔的第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，所述第二绝缘层形成于所述基板表面，其中，相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；
3)于所述第一叠层结构及所述第二叠层结构之间形成至少一个环形非易失材料层，且所述环形非易失材料层与所述第一导电层和所述第二导电层相接触；
4)于所述环形非易失材料层内侧填充满导电材料以形成导电柱，所述导电柱与各所述第一导电层之间的所述环形非易失材料层部分以及所述导电柱与所述第二导电层之间的所述环形非易失材料层部分分别形成存储单元。
2.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤1)中形成的所述第一叠层结构为两个或多个，且各所述第一叠层结构平行间隔排布。
3.根据权利要求2所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，形成两个或多个所述第一叠层结构的方法包括步骤：
1-1)于所述基板表面交替形成第一绝缘材料层和第一导电材料层；
1-2)刻蚀步骤1-1)所得到的结构，形成至少一个贯穿所述第一绝缘材料层和所述第一导电材料层的第一沟槽结构，以得到两个或多个所述第一叠层结构。
4.根据权利要求3所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤2)中形成的所述第二叠层结构为两个或多个，且所述第二叠层结构与所述第一叠层结构交替间隔排布。
5.根据权利要求4所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，形成两个或多个所述第二叠层结构的方法包括步骤：
1-3)于所述第一沟槽结构对应的基板表面交替形成第二绝缘材料层和第二导电材料层，且所述第二导电材料层与与其相邻的所述第一导电层位于不同的平面上；
1-4)刻蚀步骤1-3)所得到的结构，在各所述第一沟槽结构内形成两个贯穿所述第二绝缘材料层和所述第二导电材料层的第二沟槽结构的同时形成一个所述第二叠层结构，其中，所述第二沟槽结构暴露出所述第一绝缘层、所述第一导电层、所述第二绝缘层和所述第二导电层。
6.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤2)和步骤3)之间还包括步骤：
于所述第一叠层结构与所述第二叠层结构之间填充电绝缘材料层。
7.根据权利要求6所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤3)中形成的所述环形非易失材料层为两个或多个，所述环形非易失材料层沿所述第一叠层结构的长度方向呈间隔排布。
8.根据权利要求7所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤3)中，形成两个或多个所述环形非易失材料层的步骤包括：
3-1)沿所述第一叠层结构的长度方向形成多个间隔排布且贯穿所述电绝缘材料层的深孔，所述深孔与所述第一导电层及所述第二导电层相接触；
3-2)于所述深孔侧壁形成所述环形非易失材料层。
9.根据权利要求7所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，相邻的所述第一叠层结构与所述第二叠层结构之间的距离、所述第一导电层的宽度、所述第二导电层的宽度及沿所述第一叠层结构长度方向上相邻所述环形非易失材料层的间距均为F，其中，F为特征线宽。
10.根据权利要求9所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，所述环形非易失材料层的横截面为圆形环或方形环，其中，所述圆形环的外径大于F且小于1.5F，所述方环形的外围边长大于F且小于1.5F。
11.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，所述第一叠层结构中相邻的所述第一导电层的间距与所述第二叠层结构中相邻的所述第二导电层的间距相等，且沿垂直于所述基板表面方向上相邻的所述第一导电层与所述第二导电层的间距为所述第一叠层结构中相邻的所述第一导电层的间距的一半。
12.根据权利要求1所述的三维非易失性存储器件的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述环形非易失材料层的材料为多晶硅材料、金属氧化物材料、石墨开关电阻材料、相变材料、阻变材料或磁变材料中的至少一种。
13.一种三维非易失性存储器件，其特征在于，包括；
基板；
至少一个第一叠层结构，所述第一叠层结构包括交替叠置的第一绝缘层和第一导电层，所述第一绝缘层位于所述基板表面；
至少一个第二叠层结构，所述第二叠层结构包括交替叠置的第二绝缘层和第二导电层，所述第二绝缘层位于所述基板表面，其中，所述第二叠层结构与所述第一叠层结构平行间隔排布，且相邻的所述第一导电层与所述第二导电层位于不同的平面上；
至少一个环形非易失材料层，位于所述第一叠层结构与所述第二叠层结构之间，且所述环形非易失材料层与所述第一导电层和所述第二导电层相接触；
导电柱，位于所述环形非易失材料层的内侧，所述导电柱与各所述第一导电层之间的所述环形非易失材料层部分及所述导电柱与所述第二导电层之间的所述环形非易失材料层部分分别形成存储单元。
14.根据权利要求13所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，还包括：
电绝缘层，填充于所述第一叠层结构、所述第二叠层结构以及所述环形非易失材料层之间。
15.根据权利要求13所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，所述第一叠层结构与所述第二叠层结构均为两个或多个，且所述第二叠层结构与所述第一叠层结构交替间隔排布；所述环形非易失材料层为两个或多个，且所述环形非易失材料层沿所述第一叠层结构的长度方向呈间隔排布。
16.根据权利要求15所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，相邻的所述第一叠层结构与所述第二叠层结构之间的距离、所述第一导电层的宽度、所述第二导电层的宽度及沿所述第一叠层结构长度方向上相邻所述环形非易失材料层的间距均为F，其中，F为特征线宽。
17.根据权利要求16所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，所述环形非易失材料层的横截面形状为圆形环或方形环，其中，所述圆形环的外径大于F且小于1.5F，所述方环形的外围边长大于F且小于1.5F。
18.根据权利要求13所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，所述第一叠层结构中相邻的所述第一导电层的间距与所述第二叠层结构中相邻的所述第二导电层的间距相等，且沿垂直于所述基板表面方向上相邻的所述第一导电层与所述第二导电层的间距为所述第一叠层结构中相邻的所述第一导电层的间距的一半。
19.根据权利要求13所述的三维非易失性存储器件，其特征在于，所述环形非易失材料层的材料为多晶硅材料、金属氧化物材料、石墨开关电阻材料、相变材料、阻变材料或磁变材料中的至少一种。