1.一种接触孔制作工艺缺陷的检查方法，用于检查接触孔制作工艺形成的共享接触孔是否与多晶硅短路，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：提供一测试结构，所述测试结构上形成有使用所述接触孔制作工艺形成的接触孔和多晶硅，所述接触孔分为若干列共享接触孔和若干列非共享接触孔，其中两列共享接触孔相邻且电位相异，每个共享接触孔皆一端与所述多晶硅接触，所述多晶硅长度方向定义为行，所述行与所述列在水平面上相互垂直，在所有的接触孔内沉积金属形成金属栓；
步骤二：对步骤一的结构进行电子束扫描，观察每个接触孔的亮度，根据每个接触孔的亮度，判断每个所述共享接触孔是否与多晶硅具有短路现象。
2.如权利要求1所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，所述测试结构中两列相邻的共享接触孔中，一列位于PMOS结构上，另一列位于NMOS结构上。
3.如权利要求1所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，步骤一中制作测试结构的方法为在制作接触孔时，改变掩模图形。
4.如权利要求3所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，步骤一在光刻接触孔时，将掩模板平移一列接触孔，光刻形成PMOS结构上的共享接触孔与相邻的NMOS结构上的共享接触孔相邻。
5.如权利要求1所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，步骤一中制作测试结构的方法为改变离子注入结构。
6.如权利要求5所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，改变离子注入结构的方法为选择在原定为NMOS结构中的一列非共享接触孔和原定为PMOS结构中的一列共享接触孔进行离子注入形成PMOS结构，其余部分进行离子注入形成NMOS结构。
7.如权利要求1所述的共享接触孔与多晶硅短路缺陷的检查方法，其特征在于，步骤二中，使用电子束扫描时，在多晶硅长度方向上，与共享接触孔发生短路现象的多晶硅长度范围内所有共享接触孔亮度相同。