一种集成表贴发光器件的生产工艺的制作方法

本发明涉及发光元器件技术领域，尤其涉及一种集成表贴发光器件的生产工艺。

背景技术：

现有的发光显示器件大部分采用smd封装，smd封装是将led芯片用导电胶和绝缘胶固定在灯珠支架的焊盘上，然后进行led芯片导通性能焊接，那功能测试后，用环氧树脂胶包封，再进行分光、切割和打编带。

这种smd封装制成的发光器件内仅有单个rgb芯片，单灯珠单体化分装虽然容易加工，但其封装中使用的四角或六角支架为后续的生产环节带来了技术困难和可靠性隐患。当需要生产高分辨率显示屏时，发光点密度增加，发光器件需要贴片加工到显示屏电路板上，这种smd封装结构存在数量庞大的支架管脚焊接良率问题，无法生产高分辨率显示屏。

技术实现要素：

为了解决现有技术中存在的上述缺陷，本发明提出一种集成表贴发光器件的生产工艺，填补了高清、高分辨率显示屏的空白。

本发明采用的技术方案是，设计一种集成表贴发光器件的生产工艺，包括以下步骤：

步骤1、将若干个发光点组排列封装在基板的正面上，每个发光点组包含至少一个红光led芯片、至少一个绿光led芯片和至少一个蓝光led芯片，所有led芯片采用cob封装在基板上；

步骤2、将基板切割分成若干个独立的发光器件，每个发光器件内设有一个发光点组；

步骤3、将每个发光器件内的红光led芯片、绿光led芯片及蓝光led芯片分别点亮测试波长和亮度值，按照测试数据将所有发光器件分bin；

步骤4、测试每个发光器件的正向电压和反向漏电流，将不合格的挑出。

较优的，步骤1中每个发光点组内包含多个红光led芯片、多个绿光led芯片及多个蓝光led芯片，发光点组内的红光led芯片、绿光led芯片及蓝光led芯片行列间距可任意排列组合。

优选的，步骤1中所有led芯片采用正装cob封装或倒装cob封装。

优选的，基板正面设有用于封装led芯片的焊盘，基板的背面设有用于焊接控制引脚的引脚焊盘。

优选的，基板为黑色双面线路板或多层线路板，基板的材料为bt、碳纤维或fr4。

在第一实施例中，生产工艺还包括：步骤5、将合格的发光器件排列安装在高分辨率显示屏的电路板上，在电路板上覆盖面罩。

在第二实施例中，步骤2中切割基板之前，先对基板进行模压封胶，使基板的正面覆盖一层透明的胶质。优选的，胶质的厚度范围为0.8mm至1.2mm。在第二实施例中，生产工艺还包括：步骤5、将合格并位于同一bin范围的发光器件编入载带，在载带上热封保护膜。

本发明集成了cob封装及smd封装技术，将若干个红绿蓝基色led芯片采用cob封装在基板上，led芯片之间的间距可按照需要调整，led芯片封装完成后再切割成独立的发光器件，发光器件体积小，且一个发光器件内可封装有一组红绿蓝led芯片或多组红绿蓝led芯片，发光器件的分辨率高，适用于加工高分辨率及高亮度产品。

与现有技术相比，本发明的led芯片采用cob封装在基板上，去除传统smd封装中的支架，可提高单个发光器件内的led芯片数量，封装后将基板切割形成单个发光器件，再分别对发光器件进行分光、测试，解决了传统cob封装中产品一次通过率难控制、成品率低的问题。

附图说明

下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明，其中：

图1是本发明中基板未切割时的整版结构示意图；

图2是本发明中基板上单个发光器件区域的正面焊盘排布示意图；

图3是本发明中基板上单个发光器件区域的背面引脚焊盘排布示意图；

图4是本发明中led芯片封装在基板上的结构示意图；

图5是本发明中单个发光器件未封胶的结构示意图；

图6是本发明中单个发光器件封胶的结构示意图。

具体实施方式

本发明提出的发光器件的生产工艺，包括封装、切割、分bin、测试等步骤。

下面详细阐述每个步骤：

步骤1、如图1所示，基板1按照需要预先进行拼版设计，基板1的上下两侧设有工艺边11，工艺边11上设有定位孔12，便于在基板1上进行后续加工。基板1为黑色双面线路板或多层线路板，基板1的材料为bt、碳纤维或fr4，表面为沉金工艺，除发光区域整版均为黑色组焊，双面线路导通过孔为盲孔。如图2、3所示，基板1正面设有若干个用于封装led芯片的焊盘13，基板1的背面设有若干个用于焊接控制引脚的引脚焊盘14。

如图4所示，将若干个发光点组排列封装在基板1的正面上，每个发光点组包含至少一个红光led芯片、至少一个绿光led芯片和至少一个蓝光led芯片，所有led芯片2为单基色裸芯片，且采用cob封装在基板1上。

为了便于描述，本文中提到的三色led芯片是红光led芯片、绿光led芯片及蓝光led芯片的简称。各发光点组内三色led芯片的数量和排列可相同或者不相同，较优的，步骤1中每个发光点组内包含多个红光led芯片、多个绿光led芯片及多个蓝光led芯片，发光点组内的三色led芯片任意排列组合，按照实际需要调整三色led芯片之间的间距，发光点组内相邻的三色led芯片颜色混合形成一个虚拟发光点，通过若干发光点的组合形成点间距各异的微型矩阵发光器件3。相比于现有smd元件来说，采用本发明加工的发光器件3内可排布若干个三色led芯片，且可随意调整三色led芯片的间距，体积小、分辨率高。

另外，步骤1中所有led芯片2可采用正装cob封装或倒装cob封装，正装cob即将裸芯片正置放在基板1上，通过引线键合实现led芯片与基板的导通。反装cob即将裸芯片倒置放在基板1上，led芯片2直接通过芯片电极与基板导通，倒装cob尺寸可以做到更小，光学更容易匹配，散热功能、芯片寿命及抗静电能力好。

步骤2、发光点组封装完成后，如图5所示，将基板1切割分成若干个独立的发光器件3，每个发光器件3内设有一个发光点组，发光器件3的尺寸在15×15mm以内，发光器件3正面发光、底面设有控制引脚31；

步骤3、将每个发光器件3内的三色led芯片分别点亮测试波长和亮度值，按照测试数据将所有发光器件3分bin；

步骤4、单点扫描测试每个发光器件3的正向电压和反向漏电流，将不合格的挑出。

在第一实施例中，如图5所示，生产工艺还包括：步骤5、将合格的发光器件3固化后排列安装在电路板上，发光器件3固化的过程就是在发光器件3的led芯片2表面点胶，覆盖led芯片2防止其被氧化，在电路板上覆盖面罩保护发光器件上的led芯片2，led芯片发出的光线穿过面罩射出，面罩覆盖的形式有利于后期拆卸维护，且发光更均匀、更亮。

在第二实施例中，如图6所示，步骤2中切割基板1之前，先对整版基板进行模压封胶，使基板1的正面覆盖一层透明的胶质4，通过该胶质4保护led芯片2，led芯片2发出的光线穿过胶质4射出。较优的，胶质4的厚度范围为0.8mm至1.2mm。在第二实施例中，生产工艺还包括：步骤5、将合格并位于同一bin范围的发光器件3编入载带，在载带上热封保护膜。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。