技术特征：
技术总结
本发明公开了一种具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法，该制备方法采用机械剥离法结合旋转转移法的湿化学合成技术手段，通过调整旋转转移法技术手段的具体实施条件，制得一种基于二维过渡金属硫族化合物Se的垂直结构范德瓦尔斯异质半导体材料，该方法较为简单安全，适用于制备一系列二维过渡金属硫族化物（TMDs）的垂直结构异质结；通过将制备的垂直结构SnSe2/MoSe2范德瓦尔斯异质结进行退火改性处理，选择最优的提升异质结器件的场效应性能的退火改性温度及时间参数，本发明提供的异质结的改性方法，为范德瓦尔斯异质结更深入的应用于新一代光电子器件领域指明了方向。
技术研发人员：商继敏;陈鹏;吴杰;冯学超;杨阳;李强;杨坤
受保护的技术使用者：郑州轻工业学院
技术研发日：2017.04.25
技术公布日：2017.12.01