技术特征：
技术总结
本申请公开了一种半导体器件结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。半导体器件结构包括设置在衬底基板上的至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；第一晶体管包括第一栅极以及由多晶硅形成的第一源极、第一漏极和第一沟道区；第二晶体管包括第二栅极以及由氧化物半导体形成的第一区域、第二区域和第二沟道区，第一区域与第一源极和/或第一漏极电连接，第一区域到衬底基板的距离大于第二区域到衬底基板的距离。按照本申请的方案，通过将第二晶体管的有源层设置为在垂直衬底基板的方向上具有高度差，并利用该高度差形成沟道区，提高开态电流，并通过第一晶体管分压增强可靠性，从而实现高开态电流和低关态电流的半导体器件结构。
技术研发人员：文亮
受保护的技术使用者：厦门天马微电子有限公司
技术研发日：2017.04.26
技术公布日：2017.08.18