技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体元器件的缺陷检测方法，包括以下步骤：提供待检测半导体，并确定待检测缺陷及缺陷分布状况；对半导体进行检测区域的划分；对检测区域设置检测参数；采集半导体缺陷上的斑点；采集检测区域内的图像信息导入至工作台视窗系统，形成工作台视窗图像；通过图像边缘反差化工艺对半导体的斑点图像和工作台视窗图像进行处理；将边缘反差化斑点图像和边缘反差化工作台视窗图像进行匹配，进而确定缺陷位置以及缺陷周边的结构样貌；将缺陷周围的结构样貌信息导入扫描电子显微镜下得到缺陷的准确位置。本发明采用该种方法对半导体的缺陷进行检测，具有检测速度快、准确性高、全面性及合格率高的特点，大大降低了人员的劳动力和成本。
技术研发人员：彭勇
受保护的技术使用者：合肥市华达半导体有限公司
技术研发日：2017.05.08
技术公布日：2017.07.07